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    BUZ11 参数 Datasheet PDF下载

    BUZ11图片预览
    型号： BUZ11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SIPMOS功率Transistorm （N沟道增强型雪崩额定） [SIPMOS Power Transistorm (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 123 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BUZ11的Datasheet PDF文件第9页  
    BUZ 11
    Not for new design
    Drain-source on-resistance
    R
    DS (on)
    =
    ƒ
    (T
    j
    )
    parameter:
    I
    D
    = 19 A,
    V
    GS
    = 10 V
    0.13
    Gate threshold voltage
    V
    GS (th)
    =
    ƒ
    (T
    j
    )
    parameter:
    V
    GS
    =
    V
    DS
    ,
    I
    D
    = 1 mA
    4.6
    V
    4.0
    Ω
    0.11
    98%
    R
    DS (on)
    0.10
    0.09
    0.08
    0.07
    0.06
    0.05
    0.04
    0.03
    0.02
    0.01
    0.00
    -60
    -20
    20
    60
    100
    °C
    160
    V
    GS(th)
    3.6
    3.2
    2.8
    2.4
    typ
    2%
    98%
    typ
    2.0
    1.6
    1.2
    0.8
    0.4
    0.0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    °C
    160
    T
    j
    T
    j
    Typ. capacitances
    C
    =
    f
    (V
    DS
    )
    parameter:V
    GS
    = 0V,
    f
    = 1MHz
    10
    1
    Forward characteristics of reverse diode
    I
    F
    =
    ƒ
    (V
    SD
    )
    parameter:
    T
    j
    , t
    p
    = 80 µs
    10
    3
    nF
    C
    10
    0
    A
    I
    F
    C
    iss
    C
    oss
    10
    2
    10
    -1
    C
    rss
    10
    1
    T
    j
    = 25 °C typ
    T
    j
    = 150 °C typ
    T
    j
    = 25 °C (98%)
    T
    j
    = 150 °C (98%)
    10
    -2
    0
    10
    0
    0.0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    V
    DS
    40
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    2.4
    V
    3.0
    V
    SD
    Semiconductor Group
    7
    07/96

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