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    SPP07N60C3 参数 Datasheet PDF下载

    SPP07N60C3图片预览
    型号： SPP07N60C3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS⑩ Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 14 页 / 374 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SPP07N60C3的Datasheet PDF文件第11页  
    SPP07N60C3, SPB07N60C3
    SPI07N60C3, SPA07N60C3
    9 Typ. drain-source on resistance
    R
    DS(on)
    =
    f
    (I
    D
    )
    parameter:
    T
    j
    =150°C,
    V
    GS
    10
    10 Drain-source on-state resistance
    R
    DS(on)
    =
    f
    (T
    j
    )
    parameter :
    I
    D
    = 4.6 A,
    V
    GS
    = 10 V
    3.4
    SPP07N60C3
    Ω
    8
    4V
    4.5V
    Ω
    2.8
    R
    DS(on)
    5.5V
    R
    DS(on)
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    0
    5V
    2.4
    2
    1.6
    1.2
    0.8
    0.4
    0
    -60
    98%
    typ
    6V
    6.5V
    8V
    20V
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    A
    15
    I
    D
    -20
    20
    60
    100
    °C
    180
    T
    j
    11 Typ. transfer characteristics
    I
    D
    =
    f
    (
    V
    GS
    );
    V
    DS
    ≥
    2 x
    I
    D
    x
    R
    DS(on)max
    parameter:
    t
    p
    = 10 µs
    24
    12 Typ. gate charge
    V
    GS
    =
    f
    (Q
    Gate
    )
    parameter:
    I
    D
    = 7.3 A pulsed
    16
    SPP07N60C3
    A
    V
    20
    18
    25°C
    12
    V
    GS
    I
    D
    16
    14
    12
    10
    150°C
    10
    0,2
    V
    DS max
    0,8
    V
    DS max
    8
    6
    8
    6
    4
    2
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    4
    V
    20
    V
    GS
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    24
    28
    nC
    34
    Q
    Gate
    Rev. 2.1
    Page 7
    2004-04-07

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