特点
•隔离测试电压： 2500 VAC
RMS
• TTL兼容
•高比特率： 1 Mbit / s的
•高共模干扰抗扰性
•带宽为2MHz
•集电极开路输出
•外部接线基地可能
•场效应稳定了TRIOS *
•美国保险商实验室文件＃ E52744
描述
该6N135和6N136光耦合器是用
GaAIAs红外发光二极管，光耦合
带有集成光探测器它由
一个光电二极管和一个DIP-高速晶体管
8塑料封装。
信号可以在两个electri-之间传输
美云分离电路达到2频率
兆赫。电路之间的电势差
要被连接不允许超过马克西
妈妈允许的基准电压。
最大额定值
辐射源
反向电压................................................ 0.5 V
正向电流............................................ 25毫安
最大正向电流
（T = 1毫秒，占空比50 ％ ） ............................ 50毫安
最大正向电流浪涌
(t
≤1 µs,
300脉冲/秒） ....................................... 1
热电阻................................... 700 K / W
总功率耗散（T
A
≤70°C)
............... 45毫瓦
探测器
电源电压..................................... -0.5至15 V
输出电压.................................... -0.5至15 V
发射极 - 基极电压......................................... 5 V
输出电流................................................ 0.8毫安
最大输出电流.............................. 16毫安
基极电流................................................ .. 5毫安
热电阻................................... 300 K / W
总功率耗散（T
A
≤70°C)
............. 100毫瓦
包
隔离测试电压（发射极之间
符合DIN 40046检测气候，
第2部分11月74 （T = 1分。 ） ............... 2500 VAC
RMS
污染度（ DIN VDE 0109 ） ......................... 2
爬电距离
...........................................................≥7
mm
净空
...........................................................≥7
mm
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE第Ⅲa 6110 ........................ 175
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25°C ...............................
≥10
12
Ω
V
IO
= 500 V ，T
A
= 100°C .............................
≥10
11
Ω
存储温度范围....... -55 ° C至+ 125°C
环境温度范围...... -55 ° C至+ 100°C
焊接温度（最大。
≤10
秒，
浸焊
≥0.5
毫米
情况下） .............................................. 260 ℃，
*三重奏透明离子盾
6N135
6N136
高速2.5千伏TRIOS®
光电耦合器
尺寸以英寸（毫米）
4
3
2
1
针
一
内径
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
阴极
(V
CC
)
BASE
(V
B
)
集热器
(V
O
)
辐射源
（GND）的
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阳极
阴极
NC
5
6
7
8
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
.135 (3.43)
.115 (2.92)
4°
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.100 (2.54)
典型值。
.040 (1.02)
.030 (.76 )
3°–9°
10°
典型值。
.012 (.30)
.008 (.20)
特征
(T
A
= 0 〜70 ° C除非另有规定ED ，T
A
= 25°C典型值）。
辐射源
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度Coeffi-
cient ，正向电压
探测器
电源电流
逻辑低
电源电流
逻辑高
输出电压，
输出低
6N135
6N136
输出电流，
输出高
输出电流，
输出高
电流增益
包
耦合电容
输入输出
电流传输比
6N135
6N136
6N135
6N136
5–1
CTR
CTR
CTR
CTR
16 (≥7)
35 (≥19)
≥5
≥15
%
%
%
I
F
= 16 mA时， V
O
=0.4 V,
V
CC
= 4.5 V ，T
A
=25°C
I
F
= 16 mA时， V
O
=0.5 V,
V
CC
=4.5 V
C
IO
0.6
pF
F = 1 MHz的
I
CCL
I
CCH
150
0.01 (≤1)
µA
µA
I
F
= 16 mA时， V
O
开放的，
V
CC
=15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
开放的，
V
CC
=15 V
I
F
= 16毫安，
V
CC
=4.5 V
I
O
= 1.1毫安
I
O
= 2.4毫安
I
F
= 0 mA时，
V
O
=V
CC
=5.5 V
I
F
= 0毫安
V
O
=V
CC
=15 V
V
O
= 5 V，I
O
-3毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
∆V
F
/∆T
A
1.6 (≤1.9)
≥5
0.5 (≤10)
125
-1.7
单位
V
V
µA
pF
毫伏/°C的
条件
I
F
= 16毫安
I
R
=10
µA
V
R
=5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 16毫安
V
OL
V
OL
I
CH
0.1 (≤0.4)
0.1 (≤0.4)
3 (≤500)
V
V
nA
I
CH
H
FE
0.01 (≤1)
150
µA
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