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    BC847S 参数 Datasheet PDF下载

    BC847S图片预览
    型号： BC847S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅AF晶体管阵列 [NPN Silicon AF Transistor Array]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 60 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC847S的Datasheet PDF文件第6页  
    BC847S
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃ ，除非另有说明
    参数
    符号
    值
    分钟。
    每个晶体管直流特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA,
    I
    E
    = 0
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA,
    V
    BE
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 µA,
    I
    C
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 30 V,
    I
    E
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 30 V,
    I
    E
    = 0 ,
    T
    A
    = 150 °C
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 10 µA,
    V
    CE
    = 5 V
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    集电极 - 发射极饱和电压1 ）
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安，
    I
    B
    = 5毫安
    基极 - 发射极饱和电压1）
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安，
    I
    B
    = 5毫安
    基极 - 发射极电压1）
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    I
    C
    = 10毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    V
    BE（上）
    V
    BESAT
    V
    CESAT
    h
    FE
    I
    CBO
    I
    CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    （ BR ） CES
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    典型值。
    马克斯。
    单位
    45
    50
    50
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    5
    V
    nA
    µA
    -
    -
    200
    -
    -
    -
    -
    580
    -
    250
    290
    90
    200
    700
    900
    660
    -
    -
    630
    mV
    250
    650
    -
    -
    700
    770
    1 ）脉冲测试：吨< 300秒; ð < 2 ％
    
    2
    Nov-29-2001

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