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BFP620 参数 Datasheet PDF下载

BFP620图片预览
型号: BFP620
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN Silicon Germanium RF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 211 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BFP620
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
f
T
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 1.5 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 2 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 2 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 1.5 V,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 1.5 V,
f
= 6 GHz的,
Z
S
=
Z
SOPT
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大可用
1)
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 6 GHz的
传感器增益
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 6 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 2 V,
I
C
= 50毫安,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
L
= 50
1dB压缩点的输出
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
1
G
1/2
ma
= |
S
21e
/
S
12e
| (k-(k²-1) ),
G
ms
= |
S
21e
/
S
12e
|
2IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
单位
-
-
-
-
65
0.12
0.22
0.46
-
0.2
-
-
GHz的
pF
C
cb
C
ce
C
eb
F
dB
-
-
0.7
1.3
21.5
-
-
-
dB
G
ms
-
G
ma
-
11
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
IP
3
-
20
9.5
25
-
-
-
dB
DBM
P
-1dB
-
15
-
3
Apr-21-2004