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BSM50GB120DN2 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BSM50GB120DN2
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内容描述: IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) [IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)]
分类和应用: 晶体二极管晶体管双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 115 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BSM 50 GB 120 DN2
IGBT功率模块
•半桥
•包括快速续流二极管
•与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 50 GB 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
V
CE
I
C
半桥1
订购代码
C67076-A2105-A70
1200V 78A
符号
1200
1200
单位
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 kΩ
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
78
50
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲,
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
156
100
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
400
W
+ 150
-55 ... + 150
0.3
0.6
2500
20
11
F
55 / 150 / 56
-
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻,片式案例
二极管的热电阻,片式案例
绝缘测试电压,
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Mar-29-1996