PROFET® BTS621L1
双通道海赛德智能电源开关
•
过载保护
•
电流限制
•
短路保护
•
热关断
•
过电压保护(包括负载突降)
•
感性负载的快速退磁
•
反向电池保护
1)
•
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
•
开漏输出诊断
•
开路负载检测在ON状态
•
CMOS兼容输入
•
地面和损失的损失
V
bb
保护
•
静电放电
( ESD)保护
特点
产品概述
过压保护
工作电压
V
BB ( AZ )
V
bb的(上)
43
5.0 ... 34
两
V
V
渠道:
导通状态电阻
R
ON
负载电流( ISO )
I
L( ISO)的
电流限制
I
L(血肌酐)
每
并行
100
50 mΩ
4.4
8.5
A
8
8
A
TO-220AB/7
7
7
应用
1
7
• µC
诊断与兼容的电源开关
反馈12 V和24 V DC接地负载
•
各类阻性,感性和capacitve加载中
•
替代机电继电器,熔断器和分立电路
标准
直脚
1
SMD
1
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈,单片集成在智能SIPMOS技术。提供嵌入式保护功能。
电压
来源
V
逻辑
过压
保护
当前
限制1
门1
保护
+ V BB
4
电压
传感器
电平转换器
整流器1
收费
泵1
收费
泵2
对于限制
松开
IND 。负载1
负载开路
短到VBB
检测1
当前
限2
门2
保护
OUT1
3
6
5
IN1
IN2
温度
传感器1
1
ESD
ST
逻辑
电平转换器
整流器2
对于限制
松开
IND 。负载2
负载开路
短到VBB
2检测
OUT2
温度
传感器2
R
O1
GND
R
O2
7
负载
PROFET
2
GND
信号地
负载GND
1
)
与外部电流限制(例如电阻R
GND
=150
Ω)
在GND连接,电阻器串联ST
连接,反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1 15
2003-Oct-01