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BUZ11A 参数 Datasheet PDF下载

BUZ11A图片预览
型号: BUZ11A
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内容描述: SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) [SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 120 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BUZ 11一
不适用于新设计
SIPMOS
®
功率晶体管
• N沟道
•增强型
•雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 11一
V
DS
50 V
I
D
26 A
R
DS ( ON)
0.055
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1301-A3
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
26
单位
A
I
D
I
Dpuls
104
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
30
1.9
mJ
I
D
= 30 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 15.6 µH,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
14
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.67
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
07/96