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BUZ32 参数 Datasheet PDF下载

BUZ32图片预览
型号: BUZ32
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内容描述: SIPMOS功率晶体管 [SIPMOS Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 93 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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SIPMOS
®
功率晶体管
BUZ 32
• N沟道
•增强型
•雪崩额定值
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
I
D
R
DS (上
)
订购代码
BUZ 32
200 V
9.5 A
0.4
的TO-220 AB
C67078-S1310-A2
最大额定值
参数
符号
单位
连续漏电流
I
D
9.5
A
T
C
= 29 ˚C
漏电流脉冲
I
Dpuls
38
T
C
= 25 ˚C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
9.5
6.5
mJ
I
D
= 9.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 2 mH的,
T
j
= 25 ˚C
门源电压
功耗
120
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 ˚C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
˚C
1.67
75
E
55 / 150 / 56
K / W
数据表
1
05.99