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    IKW15T120 参数 Datasheet PDF下载

    IKW15T120图片预览
    型号： IKW15T120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低损耗DUOPACK ： IGBT的沟槽场终止和技术，软，恢复快反平行EMCON何二极管 [LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE]
    分类和应用： 二极管瞄准线双极性晶体管快速恢复二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 452 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IKW15T120的Datasheet PDF文件第9页  
    IKW15T120
    ^
    TRENCHSTOP系列
    低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
    具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
    C
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    约。 1.0V降低V
    CE （ SAT ）
    和0.5V降低V
    F
    相比于BUP313D
    短路承受时间 - 为10μs
    G
    设计用于：
    - 频率转换器
    - 不间断电源
    沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
    - 参数分布非常紧凑
    - 高耐用性，温度稳定的行为
    NPT技术提供因易并行交换能力
    在V正温度系数
    CE （ SAT ）
    低EMI
    低栅电荷
    非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
    完整的产品范围和PSpice的模型：
    http://www.infineon.com/igbt/
    V
    CE
    1200V
    I
    C
    15A
    V
    CE(sat),Tj=25°C
    1.7V
    T
    Ĵ ， MAX
    150°C
    E
    P-TO-247-3-1
    (TO-247AC)
    TYPE
    IKW15T120
    包
    TO-247AC
    订购代码
    Q67040-S4516
    最大额定值
    参数
    集电极 - 发射极电压
    DC集电极电流
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 100°C
    集电极电流脉冲，
    t
    p
    受
    T
    JMAX
    关闭安全工作区
    V
    CE
    ≤
    1200V,
    T
    j
    ≤
    150°C
    二极管的正向电流
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 100°C
    二极管脉冲电流，
    t
    p
    受
    T
    JMAX
    栅极 - 发射极电压
    短路承受时间
    功耗
    T
    C
    = 25°C
    工作结温
    储存温度
    焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
    T
    j
    T
    英镑
    -
    -40...+150
    -55...+150
    260
    °C
    1)
    符号
    V
    CE
    I
    C
    价值
    1200
    30
    15
    单位
    V
    A
    I
    Cpul s
    -
    I
    F
    45
    45
    30
    15
    I
    FPUL s
    V
    GE
    t
    SC
    P
    合计
    45
    ±20
    10
    110
    V
    µs
    W
    V
    GE
    = 15V,
    V
    CC
    ≤
    1200V,
    T
    j
    ≤
    150°C
    1)
    允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
    1
    初步/牧师7月1日 - 02
    功率半导体

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