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    IKW20N60T 参数 Datasheet PDF下载

    IKW20N60T图片预览
    型号： IKW20N60T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP和场终止技术 [Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅PC局域网
    文件页数/大小： 14 页 / 450 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IKW20N60T的Datasheet PDF文件第9页  
    TRENCHSTOP
    ®
    系列
    开关特性，电感负载，
    at
    T
    j
    =25
    °C
    参数
    IGBT特性
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    开启能量
    关闭能源
    总开关能量
    反并联二极管特性
    二极管的反向恢复时间
    二极管的反向恢复电荷
    二极管的峰值反向恢复电流
    秋天反向二极管峰值速率
    在恢复电流
    t
    b
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    di
    rr
    / DT
    T
    j
    = 25°C ,
    V
    R
    = 40 0 V ,
    I
    F
    =20A,
    D I
    F
    / D T =
    880A/µs
    -
    -
    -
    -
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    E
    on
    E
    关闭
    E
    ts
    T
    j
    = 25°C ,
    V
    C C
    = 40 0 V,
    I
    C
    =20A,
    V
    摹ê
    = 0 /1 5 V,
    R
    G
    =12
    Ω
    ,
    L
    σ
    2 )
    = 1 31nH ，
    C
    σ
    2 )
    =31pF
    能量损失包括
    “尾巴”和二极管
    反向恢复。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符号
    条件
    IKP20N60T
    IKW20N60T
    价值
    分钟。
    典型值。
    18
    14
    199
    42
    0.31
    0.46
    0.77
    41
    0.31
    13.3
    711
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ns
    µC
    A
    A / μs的
    mJ
    单位
    ns
    开关特性，电感负载，
    at
    T
    j
    =175
    °C
    参数
    IGBT特性
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    开启能量
    关闭能源
    总开关能量
    反并联二极管特性
    二极管的反向恢复时间
    二极管的反向恢复电荷
    二极管的峰值反向恢复电流
    秋天反向二极管峰值速率
    在恢复电流
    t
    b
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    di
    rr
    / DT
    T
    j
    = 175
    °C
    V
    R
    = 40 0 V ,
    I
    F
    =20A,
    D I
    F
    / D T =
    880A/µs
    -
    -
    -
    -
    176
    1.46
    18.9
    467
    -
    -
    -
    -
    ns
    µC
    A
    A / μs的
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    E
    on
    E
    关闭
    E
    ts
    T
    j
    = 175
    °C
    ,
    V
    C C
    = 40 0 V,
    I
    C
    =20A,
    V
    摹ê
    = 0 /1 5 V,
    R
    G
    = 12
    Ω
    L
    σ
    1 )
    = 1 31nH ，
    C
    σ
    1 )
    =31pF
    能量损失包括
    “尾巴”和二极管
    反向恢复。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    18
    18
    223
    76
    0.51
    0.64
    1.15
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    mJ
    ns
    符号
    条件
    价值
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    1)
    漏感
    L
    σ
    钕杂散电容
    C
    σ
    由于动态测试电路如图E.
    3
    修订版2.5 9月8日
    功率半导体

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