TRENCHSTOP系列
IKW75N60T
q
低损耗DuoPack : IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管
C
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
非常低V
CE ( SAT )
1.5 V(典型值)。
最高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
在V正温度系数
CE ( SAT )
参数分布非常紧凑
高耐用性,温度稳定的行为
非常高开关速度
低EMI
非常柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管
1)
根据JEDEC的目标应用资格
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/igbt/
G
E
PG-TO-247-3-21
应用范围:
•
变频器
•
不间断电源
TYPE
IKW75N60T
V
CE
600V
I
C
75A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.5V
T
Ĵ , MAX
175°C
记号
K75T60
包
PG-TO-247-3-21
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
直流集电极电流,受
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区(V
CE
≤
600V,
T
j
≤
175°C)
二极管的正向电流,限制了
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流,
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
3)
符号
V
CE
I
C
价值
600
80
2)
单位
V
A
75
I
Cpul s
-
I
F
80
I
FPUL s
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
T
英镑
-
2)
225
225
75
225
±20
5
428
-40...+175
-55...+175
260
V
µs
W
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度, 1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
1)
2)
J- STD- 020和JESD -022
价值受键合线
3)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
功率半导体
1
修订版2.4 06年5月