IL205AT/206AT/207AT/
208AT
特点
•
高电流传输比，我
F
=10mA,
V
CE
=5 V
IL205AT ， 40 ％ - 80％
IL206AT ， 63 -125 ％
IL207AT ， 100 - 200 ％
IL208AT ， 160 - 320 ％
高BV
首席执行官
, 70 V
隔离电压2500 VAC
RMS
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引线间隔， 0.05"
可在磁带和卷轴（后缀T）
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
PHOTOTRANSISTOR
小尺寸
表面贴装光耦合器
包装尺寸以英寸（毫米）
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
阳极1
0.154 ± 0.005阴极2
C
L (3.91±.13)
NC 3
NC 4
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
40°
8
7
6
5
NC
BASE
集热器
辐射源
•
•
•
•
•
•
•
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
公差：
±.005
（除非另有说明）
描述
该IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT是光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以由发送
设备，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。该IL205 / 6 /7/8
进来一个标准的SOIC - 8小型封装
为表面安装，这使得它们非常
适合于具有有限的高密度的应用
空间。除了通孔消除
的要求，这个包符合标准
表面安装器件。
指定的最低和最高CTR允许
窄公差的电气设计
相邻电路。高BV
首席执行官
70伏给
更高的安全裕度相比，工业
标准的30伏。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压....................................... 6.0 V
连续正向电流.......................... 60毫安
在25℃ ............................. 90 mW的功耗
从25℃ ....................... 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压................ 70 V
发射极 - 集电极击穿电压.................. 7 V
集电极 - 基极击穿电压................... 70 V
功耗........................................ 150毫瓦
从25℃ ....................... 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） ...................................... 240毫瓦
从25℃ ....................... 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度..................... -55 ° C至+ 150°C
工作温度................. -55 ° C至+ 100°C
在260 ℃，焊接时间............................... 10秒。
半导体集团
特征
(T
A
=25°C)
符号最小值。典型值。
MAX 。 UNIT
条件
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 发射极
暗电流
集电极 - 发射极
电容
包
直流电流传输
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
直流电流传输
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘测试电压
等效直流
隔离电压
电容，
输入到输出
性，
输入到输出
开关时间
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
70
BV
ECO
7
I
CEOdark
C
CE
CTR
DC
40
63
100
160
CTR
DC
13
22
34
56
V
CE坐
V
IO
2500
3535
C
IO
R
IO
t
ON
,
t
关闭
1.3
0.1
25
1.5
100
V
µA
pF
V
V
I
F
= 10毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
I
C
=100
µA
I
E
=100
µA
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
I
F
= 10毫安，
V
CE
=5 V
10
5
10
50
nA
pF
%
80
125
200
320
%
25
40
60
95
0.4
VAC
RMS
VDC
0.5
100
3.0
pF
GΩ
µs
I
C
= 2毫安，
R
E
=100
Ω,
V
CE
=10 V
I
C
= 2.0毫安，
I
F
= 10毫安
I
F
= 1毫安，
V
CE
=5 V
规格如有变更。
4–1
10.95
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