双通道
ILD1/2/5
四通道
ILQ1/2/5
PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
•在我电流传输比
F
= 10毫安
ILD / Q1 ， 20 ％最小。
ILD / Q2， 100 ％最小。
ILD / Q5 ， 50 ％最小。
•高集电极 - 发射极电压
ILD / Q1 ： BV
首席执行官
=50 V
ILD / Q2 ， ILD / Q5 ： BV
首席执行官
=70 V
•场效应稳定通过透明的离子
盾（三重奏）隔离测试电压， 5300
VAC
RMS
•美国保险商实验室文件＃ E52744
V
•
VDE 0884可通过选项1
D E
最大额定值
（每个通道）
辐射源
反向电压................................................ 6 V
正向电流........................................... 60毫安
浪涌电流................................................ 。 2.5 A
功耗....................................... 100毫瓦
25线性降额
°
Ç ..................... 1.3毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极反向电压
ILD / Q1 ............................................... ............ 50 V
ILD / Q2 ， ILD / Q5 ........................................... .... 70 V
集电极电流.......................................... 50毫安
集电极电流（ t<1毫秒） ........................... 400毫安
功耗....................................... 200毫瓦
25线性降额
°
Ç ...................... 2.6毫瓦/
°
C
包
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准23
°
C/50%RH,
DIN 50014 ） .................................... 5300 VAC
RMS
爬电...............................................分钟。 7毫米
通关...............................................分钟。 7毫米
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25
°
Ç ......................... ř
IO
=10
12
Ω
V
IO
= 500 V ，T
A
=100
°
Ç ....................... ř
IO
=10
11
Ω
封装功耗...................... 250毫瓦
25线性降额
°
Ç ..................... 3.3毫瓦/
°
C
存储温度-40 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度................- 40
°
C至+100
°
C
结温.................................... 100
°
C
焊接温度
（2毫米的情况下） .......................... 260
°
C
尺寸以英寸（毫米）
双通道
脚一内径
4
3
2
1
阳极1
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阴极2
阴极3
5
6
7
8
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
阳极4
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
.150 (3.81)
.130 (3.30)
4℃典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
脚一内径
.135 (3.43)
.115 (2.92)
8发射器
7收藏家
6收藏家
5发射
四通道
阳极1
16发射器
15收藏家
14收藏家
13发射器
12发射器
11收藏家
10收藏家
9发射
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
.135 (3.43)
.115 (2.92)
阴极2
阴极3
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阳极4
阳极5
阴极6
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
.045 (1.14)
.030 (.76)
阴极7
阳极8
.150 (3.81)
.130 (3.30)
4℃典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
10
°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
描述
在ILD / Q 1 /2/5光耦合隔离的对使用的GaAs红外
LED和硅NPN光电晶体管。信号的信息，包括一个直流
电平，可以由驱动器，同时保持了高度的发送
输入和输出之间的电隔离。在ILD / Q 1 /2/5是特别
设计用于驱动的中速逻辑，并且可用于消除trou-
blesome接地回路和噪音的问题。此外，这些耦合器可以
用来代替继电器，变压器在许多数字接口的应用
系统蒸发散诸如CRT调制。在ILD1 / 2/ 5具有两个分离的通道，支持
单一的DIP封装和ILQ1 / 2/ 5的每个封装四个隔离通道
年龄。
参见应用笔记45 ， “如何使用光耦归一化曲线。 ”
5–1
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