MOC8050
PHOTODARLINGTON
光电耦合器
特点
•高电流传输比500 ％为50mA
产量
•高集电极到发射极击穿电压：
80 V最小。
•高隔离电压V
ISO
= 5300 VAC
RMS
•基本铅未连接
•固态可靠性
•标准DIP封装
•美国保险商实验室文件＃ E52744
V
•
VDE 0884 Availablle方案1
D E
包装尺寸以英寸（毫米）
脚一ID 。
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极
阴极
NC
1
2
3
6
5
4
BASE
集热器
辐射源
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该MOC8050是光学耦合型隔离器与一个
砷化镓红外发射器和一个硅光子
todarlington传感器。开关可以实现
同时保持隔离的高度
驾驶与负载电路，无串扰之间
通道之间。这些光电耦合器可以
使用与更换簧片和水银继电器
寿命长，高速交换的优点和
消除磁性连接的视场中。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压........................................ 3 V
连续正向电流......................... 60毫安
25功耗
°
Ç ........................... 100毫瓦
25线性降额
°
Ç .................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极反向电压..................... 80 V
集电极负载电流................................ 125毫安
25功耗
°
C环境............ 150毫瓦
25线性降额
°
Ç ...................... 2.0毫瓦/
°
C
包
25总包耗散
°
Ç .............. 250毫瓦
25线性降额
°
Ç ...................... 3.3毫瓦/
°
C
隔离测试电压.......................... 5300 VAC
RMS
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25
°
C .................................. 10
12
Ω
V
IO
= 500 V ，T
A
=100
°
C ................................ 10
11
Ω
爬电路径....................................... 8毫米分钟。
通关路径........................................ 7毫米分钟。
漏电起痕指数.............................. 175
存储温度范围-55 .........
°
C至+ 125
°
C
工作温度范围-55 ......
°
C至+100
°
C
铅焊接时间在260
°
Ç ..................... 10秒。
电气特性
(T
A
=25
°
C)
参数
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
集电极 - 发射极
击穿电压
AGE
集电极 - 发射极
漏电流
发射极 - 集电极
击穿
电压
包
电流传输
比
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
条件
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
10
V
µ
A
pF
I
F
= 20毫安
V
R
=3.0 V
V
R
=0
I
C
=10
µ
A
BV
首席执行官
80
V
I
首席执行官
V
ECO
5.0
25
8.0
1000 nA的
V
V
CE
=60 V
I
F
=0
I
C
=10
µ
A
CTR
V
CESAT
VISO
500
0.9
5300
1.0
%
V
I
F
= 10毫安
V
CE
=1.5 V
I
C
-50毫安
I
F
-50毫安
隔离测试
电压
耦合
电容
上升时间
下降时间
VAC
RMS
1秒， 60赫兹
C
ISOL
T
r
T
f
0.5
10
35
pF
µ
s
µ
s
V
CC
=13.5 V
I
F
-50毫安
R
L
=100
Ω
5–219
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