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MPSA92 参数 Datasheet PDF下载

MPSA92图片预览
型号: MPSA92
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内容描述: PNP硅高压晶体管 [PNP Silicon High-Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管高压IOT
文件页数/大小: 4 页 / 131 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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MPSA 92
MPSA 93
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
MPSA 92
MPSA 93
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
µA
, I
B
= 0
MPSA 92
MPSA 93
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
µA
, I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 160 V
V
CB
= 200 V
, T
A
= 150
°C
V
CB
= 160 V,
T
A
= 150
°C
发射基截止电流
V
BE
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安,
I
C
= 2毫安
MPSA 92
MPSA 93
基射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 20 V,
f
= 1兆赫
MPSA 92
MPSA 93
MPSA 92
MPSA 93
MPSA 92
MPSA 93
限值
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
300
200
V
V
(BR)CB0
300
200
V
(BR)EB0
I
CB0
5
100
100
20
20
100
nA
nA
µA
µA
nA
I
CER
h
FE
25
40
25
V
0.5
0.4
0.9
V
CESAT
V
BESAT
f
T
C
敖包
70
兆赫
pF
6
8
1)
脉冲测试条件:
t
300
µs,
D
2 %.
半导体集团
2