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    SPW11N80C3 参数 Datasheet PDF下载

    SPW11N80C3图片预览
    型号： SPW11N80C3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 [New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated]
    分类和应用： 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 680 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPW11N80C3的Datasheet PDF文件第9页  
    SPW11N80C3
    的CoolMOS
    特点
    TM
    功率晶体管
    产品概述
    V
    DS
    R
    DS （ ON）最大值
    @ T
    j
    = 25°C
    Q
    克，典型值
    800
    0.45
    64
    V
    Ω
    nC
    •新的革命高电压技术
    •至尊的dv / dt评分
    •高峰值电流能力
    •根据JEDEC合格
    1)
    为目标的应用
    •无铅引脚镀层;符合RoHS标准
    •超低栅极电荷
    •超低电容有效
    PG-TO247-3
    的CoolMOS
    TM
    800V设计：
    •具有高直流电压批量工业应用
    •切换应用程序（即有源钳位正激）
    TYPE
    SPW11N80C3
    包
    PG-TO247-3
    记号
    11N80C3
    最大额定值，
    at
    T
    j
    = 25℃ ，除非另有说明
    参数
    连续漏电流
    符号条件
    I
    D
    T
    C
    =25 °C
    T
    C
    =100 °C
    漏电流脉冲
    2)
    雪崩能量，单脉冲
    雪崩能量，重复
    t
    AR2),3)
    雪崩电流，重复性
    t
    AR2),3)
    MOSFET的dv / dt坚固
    门源电压
    I
    D，脉冲
    E
    AS
    E
    AR
    I
    AR
    的dV / dt
    V
    GS
    V
    DS
    =0…640 V
    STATIC
    AC （F >1赫兹）
    功耗
    工作和存储温度
    安装力矩
    修订版2.9
    P
    合计
    T
    j
    ,
    T
    英镑
    M2.5螺丝
    第1页
    T
    C
    =25 °C
    T
    C
    =25 °C
    I
    D
    =2.2 A,
    V
    DD
    =50 V
    I
    D
    =11 A,
    V
    DD
    =50 V
    价值
    11
    7.1
    33
    470
    0.2
    11
    50
    ±20
    ±30
    156
    -55 ... 150
    50
    W
    °C
    NCM
    2008-10-15
    A
    V / ns的
    V
    mJ
    单位
    A
    请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

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