IA186EM/IA188EM
8位/ 16位微控制器
数据表
2011年2月25日
2.2.21 lcs_n / once0_n ，低内存芯片选择（内部同步输出
拉） / ONCE模式请求（输入）
该lcs_n销提供了一个存储器访问发生在下部存储器的指示
块。下内存块的大小和它的基地址是可编程的，以
大小可调，最高可达512K字节。该lcs_n举行期间，总线保持高电平。
该once0_n引脚（ ONCE - ON电路仿真）和它的同伴脚， once1_n ，定义
复位过程中的微控制器模式。这两个引脚采样上res_n的上升沿和如果
两者都置为低电平，单片机开始在ONCE模式，否则正常启动。在ONCE
模式下，所有的引脚为三态，并保持到随后的复位。为了防止
进入ONCE模式无意中单片机，该引脚有一个弱上拉，这只是
复位时在座。该引脚在总线保持不三态。
2.2.22 mcs2_n - mcs0_n （无PIO， pio15 ， PIO 14 ） -Midrange内存芯片选择
（带内部上拉的同步输出）
该mcs2_n和mcs0_n引脚提供一个指示，一个内存访问正在进行的
第二次或第三次中音存储器块。中端存储模块和基地规模
地址是可编程的。该mcs2_n - mcs0_n是在总线保持高举，并有弱
引体向上是复位期间才存在。
2.2.23 mcs3_n / rfsh_n （ pio25 ） -Midrange内存芯片选择（用同步输出
内部上拉） /自动刷新（同步输出）
该mcs3_n引脚提供的指示的存储器存取进行过程中，以第四区域
中端存储块。中端存储块的大小和它的基址
是可编程的。该mcs3_n举行期间，总线保持较高并具有弱上拉是
仅在复位呈现。
该rfsh_n信号定时自动刷新，以PSRAM或DRAM器件。刷新脉冲是
输出只有当PSRAM或DRAM模式位设置为（ EDRAM寄存器的位[15]） 。该脉冲
是1.5个时钟脉冲的持续时间与该刷新周期的其余部分由一个周期的无效
这样，总的刷新时间是满足。该引脚在总线保持不三态。
2.2.24 NMI -不可屏蔽中断（同步边沿敏感输入）
不像是int4 - INT0，这是最高优先级的中断信号，并且不能被屏蔽。经
此中断（从低转变到高）的断言，程序执行转移到
在中断向量表中不可屏蔽中断向量，该中断在下次启动
指令边界。承认放心， NMI引脚必须保持高电平至少一个
clkouta周期，使得从低到高的过渡被锁存和同步的内部。该
中断将开始下一个指令边界。
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