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IN74AC533DW 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IN74AC533DW
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内容描述: 八路三态反相透明锁存器的高速硅栅CMOS [Octal 3-State Inverting Transparent Latch High-Speed Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 锁存器
文件页数/大小: 5 页 / 211 K
品牌: INTEGRAL [ INTEGRAL CORP. ]
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IN74AC533
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒)
V
CC*
符号
参数
V
保证限制
25
°C
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
C
IN
传播延迟,输入D到Q (图1 )
传播延迟,输入D到Q (图1 )
传播延迟,锁存使能以Q(图
2)
传播延迟,锁存使能以Q(图
2)
传播延迟,输出使能到Q
(图3)
传播延迟,输出使能到Q
(图3)
传播延迟,输出使能到Q
(图3)
传播延迟,输出使能到Q
(图3)
最大输入电容
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
最大
14.0
10.0
13.0
9.5
14.0
10.0
13.0
10.0
12.5
9.5
12.5
9.5
13.0
10.0
13.0
10.0
-40 ° C至
85°C
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.5
最大
16.0
11.0
14.5
10.5
16.5
11.5
14.5
11.0
14.0
10.5
14.0
10.5
14.5
11.0
14.5
11.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
单位
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
C
PD
*
功率耗散电容
40
pF
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
时序要求
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒)
V
CC*
符号
t
su
t
h
t
w
*
保证限制
25
°C
5.5
4.0
1.5
1.5
6.0
4.5
-40 ° C至
85°C
6.0
4.5
1.0
1.0
6.5
5.0
单位
ns
ns
ns
参数
最小建立时间,输入端D锁存
使(图4)
最小保持时间,锁存使能到
输入端D (图4)
最小脉冲宽度,锁存使能
(图2)
V
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
439