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    IW4015BN 参数 Datasheet PDF下载

    IW4015BN图片预览
    型号： IW4015BN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双路4级静态移位寄存器高压硅栅CMOS [Dual 4-Stage Static Shift Register High-Voltage Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 移位寄存器高压栅
    文件页数/大小： 5 页 / 184 K
    品牌： INTEGRAL [ INTEGRAL CORP. ]
     浏览型号IW4015BN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IW4015BN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IW4015BN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IW4015BN的Datasheet PDF文件第5页  
    技术参数
    IW4015B
    双路4级静态移位寄存器
    高压硅栅CMOS
    该IW4015B由两个相同的，独立的， 4级
    串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器都有独立的
    时钟和复位输入以及一个串行数据输入。 “Q”
    输出可从每两个寄存器中的四个阶段。所有
    注册阶段是D型，主从触发器。的逻辑电平
    存在于数据输入端被传输至第一寄存器级和
    移过一个阶段，在每个正向时钟过渡。重置
    所有阶段的由高电平的复位线来实现的。注册
    扩展到使用一个IW4015B包8的阶段，或以多于8
    使用阶段附加IW4015B的是可能的。
    •
    工作电压范围： 3.0〜 18 V
    •
    1最大输入电流
    µA
    在18 V以上全包 -
    温度范围内100 nA的在18 V和25℃
    •
    噪声容限（在整个封装温度范围） ：
    1.0 V分钟@ 5.0 V电源
    2.0 V分钟@ 10.0 V电源
    2.5 V分钟@ 15.0 V电源
    订购信息
    IW4015BN塑料
    IW4015BD SOIC
    T
    A
    = -55 °至125°C的所有软件包
    引脚分配
    逻辑图
    功能表
    输入
    时钟
    数据
    L
    H
    PIN 16 = V
    CC
    PIN 8 = GND
    X
    X
    X
    RESET
    L
    L
    L
    H
    输出
    Q1
    L
    H
    L
    Q
    n
    Q
    n-1
    Q
    n-1
    L
    没有变化
    X =无关
    24

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