E
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12.0 V ±5% V
PP
28F020 2048K （ 256K ×8 ）的CMOS
FL灰内存
n
n
n
n
命令寄存器架构
微处理器/微控制器
写兼容接口
噪声免疫功能
±10% V
CC
公差
最大闭锁抗扰度
通过EPI处理
ETOX ™非易失闪存技术
EPROM兼容的加工基地
大批量制造
经验
符合JEDEC标准的引脚排列
32引脚塑料DIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP
（见包装规格。 ，订单号231369 ）
快闪电子芯片擦除
2第二典型芯片擦除
快速脉冲编程算法
10 μs的典型字节编程
4秒芯片计划
10万次擦除/编程
高性能读
90 ns最大访问时间
CMOS低功耗
10毫安典型工作电流
50 μA典型待机电流
0瓦数据保持电源
集成的编程/擦除停止定时器
n
扩展温度选项
英特尔28F020 CMOS闪存提供了最具成本效益和可靠的替代用于读/写
随机存取非易失性存储器。该28F020加电芯片擦除和重新编程来熟悉
EPROM技术。存储器的内容可以被改写：在测试插座;在PROM程序员插座;导通
组件测试过程中板;在系统的最终测试期间;而在系统售后。该28F020增加
内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本。
该28F020是组织为262144字节8比特的2048千比特非易失性存储器。 Intel的28F020是
在32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。引脚分配符合
JEDEC标准的字节宽度的EPROM 。
扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX ™ （ EPROM隧道氧化）
工艺技术。高级氧化处理，优化的隧道结构，并降低电场
结合扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM 。随着12.0 V V
PP
供应，
28F020进行10万次擦除和编程，以及在快速脉冲的时间限制
编程和快速擦除算法。
英特尔28F020采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度的系统，
功耗低，并且对噪声的抗扰度。其90 ns访问时间提供零等待状态的表现
适用范围广的微处理器和微控制器。 100 μA最大进行翻译待机电流
进入节电设备时取消。最后，程度最高的闩锁保护是
通过英特尔独有EPI处理来实现的。提供了一种用于压力高达100 mA的防止闩锁
对地址和数据引脚，从-1至V
CC
+ 1 V.
与英特尔的ETOX工艺技术基地， 28F020建立在多年的经验， EPROM产生的
最高水平的质量，可靠性和成本效益。
1997年12月
订单号： 290245-009
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
