E
n
n
n
n
n
n
工作电压
5V V
CC
5V V
PP
超前信息
字宽
FlashFile ™ Memory系列
28F160S5 ， 28F320S5
包含扩展温度规格
两个32字节的写缓冲器
2
µs
每字节有效
编程时间
n
n
n
交叉兼容命令支持
英特尔标准命令集
通用闪存接口（ CFI ）
可扩展指令集（ SCS ）
100000块擦除周期
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
灵活的块锁定
块擦除/编程锁定
电源转换期间
配置x8或x16 I / O
自动化暂停选项
计划暂停阅读
块擦除挂起到计划
块擦除挂起阅读
ETOX ™V非易失性闪存
技术
70纳秒读取时间（ 16兆）
90纳秒读取时间（ 32兆）
高密度对称阻止
架构
32个64字节擦除块（ 16兆）
64 64字节擦除块（ 32兆）
系统性能增强
STS状态输出
行业标准包装
SSOP和TSOP （ 16兆）
SSOP （ 32兆）
n
n
n
英特尔的字宽FlashFile ™存储系列产品提供高密度，低成本，非易失性，读/写存储
解了广泛的应用。字宽存储器可在在不同密度
相同的封装类型。其对称地封架构，电压和延长循环提供高度
弹性元件适用于居民闪存阵列，西姆斯和存储卡。增强暂停
功能为代码或数据存储应用的理想解决方案。对于安全代码存储
的应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或下载到DRAM中，
字宽存储器提供了三种级别的保护：采用V绝对保障
PP
在GND ，选择性块
在电源转换锁和程序/擦除锁定。这些替代方案为设计人员提供极致
控制自己的代码安全性的需求。
该系列产品在英特尔的0.4制造
µm
ETOX ™V工艺技术。它配备了
行业标准的56引脚SSOP封装。此外，在16兆的设备是在工业标准的56引脚可用
TSOP封装。
1997年6月
订单号： 290609-001
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
