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DT28F160F3B95 参数 Datasheet PDF下载

DT28F160F3B95图片预览
型号: DT28F160F3B95
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内容描述: FAST BOOT BLOCK闪存系列8位和16 MBIT [FAST BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 8 AND 16 MBIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 47 页 / 274 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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E
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产品预览
FAST BOOT BLOCK
闪存系列
8与16 MBIT
28F800F3, 28F160F3
包含扩展和汽车温度规格
高性能
54 MHz的有效的零等待状态
性能
同步突发模式读取
异步页面模式读取
SmartVoltage技术
2.7 V - 3.6 V的读取和写入
操作的低功耗设计
12 V V
PP
快速的工厂编程
灵活的I / O电压
1.65 V的I / O降低系统总
耗电量
5 V安全I / O接口允许以
5 V器件
增强的数据保护
绝对的写保护,
V
PP
= GND
块锁定
块擦除/编程锁定
电源转换期间
密度的升级路径
8位和16兆位
在ETOX ™V闪存制造
技术
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支持代码和数据存储
优化的闪存数据集成
(FDI )软件
快速的程序挂起能力
快速擦除挂起功能
灵活无阻塞架构
8个4 - K字块数据
32 - K字主要块码
顶部或底部配置
可用的
扩展循环能力
最低万块擦除周期
保证
低功耗
自动节能模式
降低功耗
自动编程和块擦除
算法
命令用户界面
自动化
对于系统状态寄存器
反馈
行业标准包装
56引脚SSOP
μBGA *
CSP
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英特尔快速启动块内存系列呈现高性能异步页模式和同步
突发读取使其成为突发的CPU的理想存储解决方案。结合高读取性能
快闪记忆体的内在的非挥发性,这种闪存的家庭消除了传统冗余内存
从慢非易失性存储源更快的执行内存的范式遮蔽代码
提高了系统性能。因此,它减少了总的内存需求,有助于增加
可靠性,并降低整体系统功耗和成本。
该系列产品在英特尔的0.4制造
µm
ETOX ™V工艺技术。它们可用
在工业标准封装:将
μBGA *
CSP ,非常适合电路板限制的应用,以及坚固耐用
56引脚SSOP封装。
1998年5月
订单号: 290644-001