5伏英特尔的StrataFlash
®
内存
28F320J5和28F640J5 （ X8 / X16 ）
数据表
产品特点
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高密度对称阻止
架构
- 64 128字节擦除块（ 64 M）
- 32 128字节擦除块（ 32 ）
4.5 V–5.5 V V
CC
手术
- 2.7 V ， 3.6 V和4.5 V - 5.5 V的I / O
能
120纳秒读取时间（ 32 M）
150纳秒读取时间（ 64 M）
增强的数据保护功能
- 绝对有保障
V
笔
= GND
- 灵活的块锁定
- 块擦除过程/程序锁定
电源转换
行业标准包装
- SSOP封装（ 32 ， 64男）
TSOP封装（ 32 M）
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交叉兼容命令支持
- 英特尔公司基本命令集
- 通用闪存接口
- 可扩展指令集
32字节的写缓冲区
- 每字节有效的编程6微秒
时间
640万总擦除周期（ 64 M）
320万总擦除周期（ 32 M）
•每座100,000次擦写循环
自动化暂停选项
- 块擦除挂起阅读
- 块擦除挂起到计划
系统性能增强
- STS状态输出
工作温度-20° C至+ 85°C
（ -40 ° C至+85°C的0.25
微米ETOX六）
工艺技术部分）
充分利用两个位每单元技术， 5伏英特尔的StrataFlash
®
内存产品提供2倍的位
在1X的空间。提供64兆位（ 8兆字节）和32兆位（ 4兆字节）的密度，英特尔StrataFlash闪存
设备是在第一带上可靠， 2位每单元存储技术闪存市场。
英特尔StrataFlash闪存的好处包括：多密度更小的空间，成本最低的每比特的NOR器件，
用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。
使用相同的基于NOR的ETOX ™技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash
存储设备利用400万台的生产制造经验自1988年以来其结果是，
英特尔的StrataFlash部件是理想的代码或数据的应用中，高密度和低成本是
所需。例子包括网络，电信，音频录制，以及数字成像。
英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。
通过使用通用闪存接口（CFI ）和可扩展命令集（ SCS） ，客户可以利用
密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。
英特尔0.4微米ETOX ™V的工艺技术和英特尔的0.25微米ETOX VI制造
工艺技术， 5伏英特尔StrataFlash闪存提供质量和可靠性的最高水平。
注意：
本文件包含有关产品的生产信息。规格有
如有更改，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处，你有最新的
敲定一个设计之前的数据表。
订单号： 290606-015
2002年4月
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
