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E28F004BL-T150 参数 Datasheet PDF下载

E28F004BL-T150图片预览
型号: E28F004BL-T150
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内容描述: 4 MBLT ( 256K ×16 , 512K ×8 )低功耗BOOT BLOCK闪存系列 [4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 44 页 / 497 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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4 MBLT ( 256K ×16 512K ×8 )
低功耗BOOT BLOCK
闪存系列
28F400BL - T B 28F004BL - T B
Y
低电压操作非常
低功耗便携式应用
V
CC
e
3 0V〜 3 6V阅读
V
CC
e
3 15V- 3 6V程序擦除
扩展温度范围
b
20℃至
a
70 C
X8 X16输入输出架构
28F400BL -T 28F400BL -B
高性能和高
集成的16位和32位的CPU
X8仅输入输出架构
28F004BL -T 28F004BL -B
对于空间受限的8位
应用
升级到英特尔的SmartVoltage
制品
优化的高密度阻止
架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
三128 KB主块
顶部或底部启动位置
扩展循环能力
10000块擦除周期
自动字字节写和块
抹去
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
Y
Y
SRAM兼容写接口
自动省电功能
0 8 mA典型我
CC
目前活跃在
静态工作
极高性能的读取
150 ns最大访问时间
65 ns最大输出使能时间
低功耗
15毫安典型的读操作工作电流
复位深度掉电输入
0 2
mA
I
CC
典型
作为复位的启动操作
写保护的引导块
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
行业标准的表面贴装
包装
28F400BL JEDEC ROM
兼容
44引脚PSOP
56引脚TSOP
28F004BL 40引脚TSOP
12V字字节写和块擦除
V
PP
e
12V
g
5 %标准
ETOX
TM
III闪存技术
3 3V阅读
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
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版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290450-005