8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列
1.5
引脚说明
表2. 28F800 / 008B引脚说明
TYPE
输入
名称和功能
地址输入
为存储器地址。地址是
在写周期内锁定。
该28F800只有
A
0
–A
18
销，而
该28F008B有A
0
–A
19
.
地址输入：
当一个
9
是V
HH
签名模式
访问。在此模式下，
0
的解码
制造商和设备ID 。当字节＃处于逻辑低时，
仅读出所述签名的低字节。 DQ / A
–1
是
15
不关心在签名模式时字节＃是低电平。
数据输入/输出：
输入端上的第二阵列的数据
CE ＃和WE ＃循环的程序命令时。输入
命令以命令的用户界面时， CE ＃和
WE ＃信号有效。数据在写入过程中内部锁存
周期。输出数组，智能标识和状态寄存器
数据。数据引脚浮到三态时，该芯片是DE-
选择或输出被禁止。
数据输入/输出：
输入端上的第二阵列的数据
CE ＃和WE ＃循环的程序命令时。数据
在写周期内锁定。输出数组数据。
数据引脚浮动到三态时，该芯片被去选择或
输出被禁止作为字节宽的模式（ BYTE ＃ =
“0”） 。在字节宽的模式DQ
15
/A
–1
成为最低
为了地址在DQ -DQ数据输出
7
.
该28F008B
0
不包括这些DQ
8
-DQ
15
销。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入
缓冲器，解码器和读出放大器。 CE＃为低电平有效。
CE＃高去选择存储设备并降低功耗
消费待机水平。如果CE ＃和＃ RP高，但
不是在CMOS高电平，待机电流将增加
由于电流流过，CE＃和RP ＃输入级。
OUTPUT ENABLE ：
通过启用设备的输出
在一个读周期中的数据缓冲器。 OE ＃为低电平有效。
写使能：
控制写入命令寄存器
和阵列模块。 WE＃为低电平有效。地址和数据
锁定在WE＃脉冲的上升沿。
符号
A
0
–A
19
A
9
输入
DQ
0
–
DQ
7
输入/输出
放
DQ
8
–
DQ
15
输入/输出
放
CE＃
输入
OE ＃
WE＃
输入
输入
10
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INTEL [ INTEL CORPORATION ]
