8兆位SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列
产品系列
概观
该数据表包含的规格
供的产品在两个分支
SmartVoltage 8 - Mbit的引导块闪光
内存系列：该-BE / CE后缀
产品具有低V
CC
工作范围
的2.7-3.6V ;在-bv / CV后缀的产品
提供
3.0-3.6V操作。这两个BE / CE和
BV / CV产品也于5V操作的
高速存取时间。在本
数据表中， 28F800是指所有X8 / X16
8 - Mbit的产品，同时28F008B指
所有X8 8 - Mbit的引导块的产品（但不
到28F008SA FlashFile ™存储器） 。
此外，术语“ 2.7V ”通常是指所述
全电压范围2.7〜3.6V 。第1节
提供了闪速存储器的概况
家族，包括应用程序，引脚和
引脚说明。第2和第3描述了
内存的组织和运作
这些产品。最后，第4，第5和第6
包括家庭的经营
特定连接的阳离子。
1.1
在新功能
SmartVoltage产品
新8兆位SmartVoltage引导块
闪存系列提供了
从方便的密度升级路径
2兆位和4兆位引导块的产品。
8 - Mbit的引导块的功能类似于
在较低密度的引导块中的产品
这两个指令集和操作，
提供类似引脚缓解密度
升级。
1.0
从较低的密度提升-Bx / BL-
后缀12V程序产品，请注意
以下区别和准则：
WP ＃引脚取代了杜（不要使用）
在40引脚TSOP封装引脚＃ 12 。
在44引脚PSOP ，杜针＃ 2
用A代替
18
（参见图1和
有关详细信息，参见3.4节） 。连接
WP ＃引脚来控制信号或V或
CC
接地（在这种情况下，一个逻辑电平信号
可以放在杜引脚＃ 12 40-
导致TSOP ） 。见表2和9看
如何WP ＃引脚工作。
•
5V编程/擦除操作已
补充说。如果开关V
PP
对于写
保护，切换到GND （未5V ）的
完整的写保护。拿
利用5V写能力，使
用于连接5V到V
PP
和
从V断开12V
PP
线。
•
增强的电路优化低V
CC
性能，使操作下来
到V
CC
= 2.7V （使用BE / CE
产品） 。
从较低的密度升级
SmartVoltage引导块的产品，
在40引脚和48引脚引脚类似
TSOP封装提供轻松升级了
增加额外的地址线（见Figures1
和3）。在44引脚TSOP ，在WP ＃引脚
在2兆位和4兆位BV份
成为A
18
，除去能力
具有逻辑电平解锁引导块
在这个包信号
只。
引导块
仍然可以用12V的RP ＃解锁（见
图2和3.4节） 。
•
产品预览
3
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
