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    E28F010-150 参数 Datasheet PDF下载

    E28F010-150图片预览
    型号： E28F010-150
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 28F010 1024K （ 128K ×8 ）的CMOS FLASH MEMORY [28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 33 页 / 894 K
    品牌： INTEL [ INTEL CORPORATION ]
     浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第5页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第6页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第7页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第8页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第10页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第11页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第12页浏览型号E28F010-150的Datasheet PDF文件第13页  
    E
    模式
    读
    输出禁用
    只读
    待机
    读
    READ / WRITE输出禁止
    待机
    (5)
    写
    28F010
    表2. 28F010公交运营
    V
    PP(1)
    V
    PPL
    V
    PPL
    V
    PPL
    V
    PPL
    V
    PPL
    V
    PPH
    V
    PPH
    V
    PPH
    V
    PPH
    A
    0
    A
    0
    X
    X
    V
    IL
    V
    IH
    A
    0
    X
    X
    A
    0
    A
    9
    A
    9
    X
    X
    V
    ID(3)
    V
    ID(3)
    A
    9
    X
    X
    A
    9
    CE＃
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    OE ＃ WE＃
    V
    IL
    V
    IH
    X
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IL
    V
    IH
    X
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    X
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    V
    IH
    X
    V
    IL
    DQ
    0
    -DQ
    7
    数据输出
    三州
    三州
    数据= 89H
    数据= B4H
    数据输出
    (4)
    三州
    三州
    DATA IN
    (6)
    智能标识符（制造商）
    (2)
    智能标识（设备）
    (2)
    注意事项：
    1.参考
    直流特性。
    当V
    PP
    = V
    PPL
    存储器的内容可以读，但不能写或擦除。
    2.制造商和设备代码，也可以通过命令寄存器写入顺序访问。参考表3，所有其他
    针对低。
    3. V
    ID
    是智能识别高电压。请参阅
    直流特性。
    4.采用V读操作
    PP
    = V
    PPH
    可以访问阵列数据或智能识别码。
    5. V
    PP
    在高电压，待机电流等于I
    CC
    + I
    PP
    （ STANDBY ） 。
    6.参考表3为有效数据，在写操作过程中。
    7. X可以是V
    IL
    或V
    IH
    .
    2.2
    写保护
    2.2.1
    2.2.1.1
    巴士业务
    读
    命令寄存器只有当V
    PP
    为
    高电压。取决于应用，该
    系统设计人员可以选择使在V
    PP
    电源开关，只有当
    内存更新所需。当V
    PP
    = V
    PPL
    中，
    寄存器默认读取的内容
    命令，使得28F010一个只读存储器。
    在这种模式下，存储器的内容不能被
    改变。
    或者，系统设计人员可以选择“硬线”
    V
    PP
    ，使得高压电源不断
    可用。在这种情况下，所有命令寄存器
    功能被抑制时V
    CC
    低于
    写锁定电压V
    LKO
    。 （参见第3.4节，
    上电/下保护
    ）的28F010是
    设计，以适应任何设计实践，
    并鼓励处理器的优化
    存储器接口。
    两步编程/擦除写时序，
    命令寄存器提供额外的软件
    写保护。
    该28F010具有两个控制功能，两者的
    它必须是逻辑上的活性，得到的数据
    输出。芯片使能（ CE ＃ ）是功率控制
    并应被用于设备的选择。产量
    使能（OE ＃），则输出控制和应
    从输出引脚用于栅极的数据，独立
    的设备选择。参见AC读出时序
    波形。
    当V
    PP
    是高（Ⅴ
    PPH
    ） ，读操作可以是
    用于访问数组数据，并输出所述智能
    识别码，以及用于访问数据
    编程/擦除验证。当V
    PP
    是低（Ⅴ
    PPL
    ),
    可以在读操作
    只
    访问阵列的数据。
    2.2.1.2
    输出禁用
    用OE ＃为逻辑高电平（V
    IH
    ） ，输出从
    设备被禁用。输出引脚被放置在一个高
    阻抗状态。
    9

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