28F010
1024K （ 128K ×8 ）的CMOS FLASH MEMORY
Y
快闪电子芯片擦除
1秒典型芯片擦除
快速脉冲编程算法
10
ms
典型的字节编程
2第二芯片计划
100000擦除程序周期
12 0V
g
5% V
PP
高性能读
65 ns最大访问时间
CMOS低功耗
10毫安典型工作电流
50
mA
典型待机电流
0瓦数据保持电源
综合方案擦除停止定时器
Y
Y
命令寄存器架构
微处理器微控制器
写兼容接口
噪声免疫功能
g
10% V
CC
公差
最大闭锁抗扰度
通过EPI处理
ETOX
TM
非易失性闪存技术
EPROM兼容的加工基地
大批量制造
经验
符合JEDEC标准的引脚排列
32引脚塑料DIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP
（见包装规格订单
231369)
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
扩展温度选项
英特尔28F010 CMOS闪存提供了读写最具成本效益和可靠的替代
随机存取非易失性存储器28F010加电芯片擦除和重新编程来熟悉
EPROM技术的存储器中的内容可以被改写的测试插座在PROM程序员插座导通
在最终测试中，并在系统中的系统组件测试过程中电路板售后的28F010增加
内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本
该28F010是组织为131 072字节的8位Intel的28F010是1024千比特的非易失性存储器
提供32引脚塑料DIP或32引脚PLCC和TSOP封装的引脚分配符合JEDEC
对于字节宽的EPROM标准
扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX （ EPROM隧道氧化）工艺
技术先进的氧化处理优化的隧道结构和较低的电场结合起来，
扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM选用12 0V的V
PP
供应28F010执行
10万次擦除和编程完全在快速脉冲编程和快速擦除的时间限制
算法
英特尔28F010采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度低系统
功耗和抗噪声其65纳秒存取时间提供无等待状态perform-
ANCE适用范围广的100微处理器和微控制器的最大备用电流
mA
反
拉泰什到功率节省设备时，最后取消了最高程度的闭锁保护
通过英特尔独有EPI处理防止闩锁实现提供了应力高达100 mA的电流
从地址和数据引脚
b
1V至V
CC
a
1V
与英特尔的ETOX过程中相应的28F010建立在多年的经验， EPROM ，产生的最高水平
的质量可靠性和成本效益
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290207-010
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
