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28F016XS
16 - MBIT （1 MBIT ×16 ， 2 MBIT ×8）
同步闪存
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向后兼容28F008SA
命令集
2 μA典型深度掉电
1毫安典型的活动我
CC
目前在
静态模式
16上锁另外，可擦除/
128千字节块
每座100万擦除周期
0.6微米ETOX ™ IV闪存国家的最先进的
技术
有效的零等待状态的性能
高达33 MHz的
同步流水线读
SmartVoltage技术
用户可选的3.3V或5V V
CC
用户可选的5V或12V V
PP
0.33 MB / sec写入数据传输率
配置x8或x16操作
56引脚TSOP和SSOP I型
包
英特尔28F016XS 16兆位闪存存储器是一种革命性的结构，它是用于设计的理想选择。
真正革命性的高性能产品。与内在的结合非常高的读取性能
闪速存储器的非易失性，在28F016XS消除了传统的冗余存储范例
从慢速非易失性存储源遮蔽代码到一个更快的执行存储器，诸如DRAM ，为
提高了系统性能。该28F016XS的创新能力使的指示按设计
执行代码和海量存储的数据/文件闪存系统。
该28F016XS是最高性能的高密度非易失性读/编程闪存解决方案
可今天。其同步流水线读取界面，灵活的V
CC
和V
PP
电压，延长循环，
快速编程和读取性能，对称受阻架构，并选择性的块锁提供
适用于居民闪光灯组件阵列高度灵活的内存组件在系统板上或
SIMM模组。该28F016XS的同步流水线接口和x8 / x16的体系结构允许简单的界面
以最小的胶合逻辑到了广泛的处理器/总线，提供有效的零等待状态的读
性能高达33 MHz的。该28F016XS的双读取电压可在操作同一个组件
3.3V或5.0V V
CC
。在5V V编程电压
PP
最大限度地减少在最小的芯片外围电路，空间
关键的设计，而12.0V V
PP
选择最大限度地提高编程/擦除性能。其高读取性能
再加上灵活的块锁使两个存储和执行操作系统/应用
软件和快速访问大型数据表。该28F016XS是英特尔0.6微米ETOX IV制造
工艺技术。
1996年11月
订单号： 290532-004
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
