3伏特英特尔
®
的StrataFlash ™记忆
28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A （ X8 / X16 ）
初步数据表
产品特点
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高密度对称阻止
架构
- 128 128字节擦除块（ 128 M）
—
64
128字节擦除块（ 64 M）
- 32 128字节擦除块（ 32 ）
高性能异步接口
页面模式读取
- 110/25纳秒读取时间（ 32 M）
- 二十五分之一百二十零纳秒读取时间（ 64 M）
- 二十五分之一百五十〇纳秒读取时间（ 128 M）
2.7 V–3.6 V V
CC
手术
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程OTP细胞
增强的数据保护功能
绝对保护与V
笔
= GND
- 灵活的块锁定
- 块擦除过程/程序锁定
电源转换
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包装
- 56引脚TSOP封装
- 64球英特尔
®
简单的BGA封装
跨平台兼容性命令支持英特尔
基本命令集
- 通用闪存接口
- 可扩展指令集
32字节的写缓冲区
- 每字节有效的编程6微秒
时间
12.8M共敏。擦除周期（ 128兆）
6.4M总最小擦除周期（ 64兆）
3.2M总最小擦除周期（ 32兆）
- 每块100K最小擦除周期
自动化暂停选项
- 块擦除挂起阅读
- 块擦除挂起到计划
- 计划暂停阅读
0.25 μ英特尔
®
的StrataFlash ™记忆
技术
充分利用英特尔的0.25 μ代双位每单元技术，第二代英特尔
®
的StrataFlash ™内存产品提供2倍于1X位的空间，对主流的新功能
性能。提供了在128兆比特（ 16M字节），64兆位和32兆位密度，这些器件带来
可靠， 2位每单元存储技术的闪光的细分市场。
优点包括：在更少的空间，高速接口，成本最低的每比特的NOR器件的更多密度，
用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。
使用相同的基于NOR的ETOX ™技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash
存储设备利用超过十亿台的制造经验自1987年以来作为
结果，英特尔的StrataFlash部件是理想的代码和数据应用中的高密度和低
成本是必需的。实例包括网络，电信，数字机顶盒，音频
录音和数码影像。
通过应用FlashFile ™存储系列引脚配置，英特尔StrataFlash闪存组件可以方便的设计
从现有的字宽FlashFile内存（ 28F160S3和28F320S3 ） ，和第一代移民
英特尔StrataFlash闪存（ 28F640J5和28F320J5 ）设备。
英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。
通过使用通用闪存接口（CFI ）和可扩展命令集（ SCS） ，客户可以利用
密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。
英特尔制造
®
0.25微米ETOX ™ VI工艺技术，英特尔的StrataFlash存储器提供
最高级别的质量和可靠性。
注意：
本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该
规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的
你有一个定案之前，设计最新的数据表。
订单号： 290667-008
2001年4月
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
