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E28F128J3A-150 参数 Datasheet PDF下载

E28F128J3A-150图片预览
型号: E28F128J3A-150
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内容描述: 3伏特英特尔StrataFlash闪存 [3 Volt Intel StrataFlash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 355 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F128J3A , 28F640J3A , 28F320J3A
图3. 3伏特英特尔
®
的StrataFlash内存™ 56引脚TSOP ( 32/64/128兆位)提供了一种简单
从32兆比特英特尔的StrataFlash组分( 28F320J5 )或16兆位的迁移
FlashFile ™组件( 28F160S3 )
3伏特英特尔
地层佛罗里达州灰
内存
32/64/128M
A
22(1)
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
3伏特英特尔
地层佛罗里达州灰
内存
32/64/128M
A
24(3)
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
A
23(2)
CE
2
28F160S3
NC
CE
1
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
28F320J5
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
28F320J5
NC
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC(4)
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
CE
2
28F160S3
WP #
WE#
OE #
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE #
NC
NC
V
CC(4)
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
RP #
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
英特尔
®
的StrataFlash ™记忆
56引脚TSOP
标准引脚
14毫米×20mm的
顶视图
亮点引出线变化
0667-03
注意事项:
1. A
22
存在于64点,128和256兆比特密度。在32兆位密度这个引脚是一个无连接( NC) 。
2. A
23
存在于128兆位密度。在32位和64兆位密度这个引脚是一个无连接( NC) 。
3. A
24
存在于256兆位密度。在32位, 64位和128兆位密度这个引脚是一个无连接( NC) 。
4. V
CC
= 5 V± 10 %,为28F640J5 / 28F320J5 。
初步
5