E
3.0
SMART 5 BOOT BLOCK Memory系列
操作已完成时，设备将保持在
读状态寄存器模式。从这个模式中的任何
其他的读或写模式，可以根据达成
相应的命令。例如，读
数据发出读阵列命令。另外
也可以发出编程或擦除命令
从这种状态。
在编程或擦除操作时，阵列中的数据
不可用于读取或执行代码，
除了擦除过程中暂停。因此，该
程序的软件启动和调查进展
和擦除操作必须被复制到与
闪存在从系统内存中执行
更新。成功完成后，读取ARE
又能够通过读阵列命令。
每个器件模式，将在被讨论的
细节在下面的章节。
操作原理
该系统处理器访问智能5引导
通过该命令的用户块存储器
界面（CUI ） ，它接受书面命令
与标准的微处理器写时序和
TTL电平控制输入。闪光灯可以切换
每到其三个读和两个写模式
通过颁发给崔命令。一
综合图表显示的状态转换
见附录A.
经过最初的设备上电或回深
掉电模式下，器件默认阅读
阵列模式。在这种模式下，操纵
内存控制引脚允许阵列的读取，备份，
输出禁用操作。其他读
模式，读取识别码和读状态寄存器，可以
通过发出相应的命令即可到达
崔。数组数据，识别码和状态
注册结果可使用这些访问
从V独立地命令
PP
电压。
读标识符模式也可以由访问
PROM通过提高编程设备
9
to
高电压（V
ID
).
崔指令序列还可以控制写入
闪存编程和擦除功能。
发出编程或擦除命令序列
内部锁存地址和数据，并发起
写状态机（ WSM ）的操作来执行
所请求的写入功能。该内部WSM
调节编程和擦除算法，
包括脉冲重复，内部核查，并
余量数据，从释放主处理器
这些任务并允许精确控制高
可靠性。要执行编程或擦除
命令，V
PP
必须是有效的写电压（ 5伏
或12V） 。
而WSM正在执行的程序的操作，
设备默认值到读状态寄存器模式
和所有的命令都将被忽略。因此，在
编程过程中，只有状态寄存器的数据可
从设备中访问。而WSM是
执行擦除操作，该装置还
默认为读状态寄存器模式但一
其他命令可用，擦除挂起到
看，这将暂停擦除操作和
允许读取阵列数据。悬浮擦除
操作可以通过发出擦除完成
恢复命令。编程或擦除后
3.1
巴士业务
本地CPU读取和写入闪存IN-
系统。所有的总线周期来或从闪速存储器
符合标准的微处理器总线周期。
四个控制引脚决定进出的数据流
成分： CE ＃ ， OE ＃ ， WE＃和RP ＃ 。这些
总线操作总结于表3和表4 。
3.1.1
读
闪存存储器有三种阅读模式可用，
读阵列，读取识别和读取状态。这些
阅读模式是V的独立访问
PP
电压。 RP ＃可以在任一V
IH
或V
HH
。该
适当的读模式命令必须发出
崔进入相应的模式。上
初始设备上电或由深后退出
关断模式下，设备会自动
默认读取阵列模式。
CE ＃和OE ＃必须驱动为有效获取数据
在输出端。 CE＃是设备选择控制，
并且，活跃时，使所选择的存储
装置。 OE＃为数据输出（DQ
0
-DQ
15
）控制
而当活动驱动器所选择的存储数据
到I / O总线。在读模式下， WE＃必须在
V
IH
和RP ＃必须在V
IH
或V
HH
。图15
示出了一个读周期。
超前信息
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