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E28F400B5T60 参数 Datasheet PDF下载

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型号: E28F400B5T60
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内容描述: 智能5引导块闪存系列2 , 4 , 8兆比特 [SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 38 页 / 500 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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超前信息
SMART 5 BOOT BLOCK
闪存系列
2,4, 8 MBIT
28F200B5 , 28F400B5 , 28F800B5 , 28F004B5
SmartVoltage技术
智能闪光5 : 5 V读取,
5 V或12 V写操作
增加吞吐量编程
在12 V V
PP
极高性能的读取
2-, 4兆位: 60 ns访问时间
8兆位: 70 ns访问时间
X8或x8 / x16的可配置数据总线
低功耗
最大60毫安读取电流在5 V
自动省电: <1毫安典型
待机电流
优化阵列无阻塞架构
16 KB保护的引导块
两个8 KB参数块
96 KB和128 KB的主块
顶部或底部启动位置
扩展温度操作
-40 ° C至+85°C
行业标准包装
40 , 48引脚TSOP , 44引脚PSOP
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扩展块擦除循环
100,000次在商业温度
10000次在扩展级温度
硬件数据保护功能
绝对的硬件保护
BOOT BLOCK
电源在写锁定
TRANSITIONS
自动字/字节编程和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
复位/深度掉电输入
提供低功耗模式和
重置启动操作
兼容的引脚排列2 , 4 , 8兆
ETOX ™闪存技术
0.6
µ
ETOX IV初始生产
0.4
µ
ETOX V后来生产
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英特尔的智能5引导块闪存系列提供2,4和8 - Mbit的存储器具有高密度,
低成本,非易失性读/写存储解决方案的应用范围广泛。他们asymmetrically-
阻塞体系结构,灵活的电压,并延长循环提供一种适合于高柔性部件
嵌入代码执行的应用程序,例如网络基础设施和办公自动化。
基于英特尔的引导块架构,智能5引导块存储系列可快速,轻松
升级为要求国家的最先进的技术设计。该系列产品配备的业界
标准封装: 40引脚TSOP非常空间受限的8位应用的48引脚TSOP ,非常适合
董事会约束更高性能的16位应用程序,并且坚固耐用,易于处理44引脚PSOP 。
1997年12月
订单号: 290599-004