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初步
4兆位（ 256K X 16 ， 512K ×8 ）
SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH
存储器系列
28F400BV -T / B ， 28F400CV -T / B ， 28F004BV -T / B
28F400CE -T / B ， 28F004BE -T / B
英特尔SmartVoltage技术
5V或12V的编程/擦除
2.7V ， 3.3V或5V读操作
增加吞吐量编程
在12V V
PP
极高性能的读取
5V ： 60/80/120 ns（最大值） 。访问时间，
30/40 ns（最大值） 。输出使能时间
3V ： 110/150/180 ns（最大值）访问
九十分之六十五ns（最大值） 。输出使能时间
2.7V ： 120 ns（最大值）访问65 ns（最大值） 。
输出使能时间
低功耗
最大60毫安读取电流为5V
最大30毫安读取电流在
2.7V–3.6V
X8 / X16可选的输入/输出总线
28F400的高性能16位或
32位CPU
X8仅输入/输出架构
28F004B为空间受限
8位应用程序
优化阵列无阻塞架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
三128 KB主块
顶部或底部启动位置
绝对的硬件保护启动
块
软件EEPROM仿真与
参数块
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扩展温度操作
-40 ° C至+ 85°C
扩展循环能力
100000块擦除周期
（商业温度）
万块擦除周期
（扩展温度）
自动字/字节编程和
块擦除
工业标准命令用户
接口
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
自动省电功能
1毫安典型I
CC
目前活跃在
静态工作
复位/深度掉电输入
0.2 μA我
CC
典型
提供复位的启动操作
硬件数据保护功能
电源在写锁定
TRANSITIONS
行业标准的表面贴装
包装
40引脚TSOP
44引脚PSOP ： JEDEC ROM
兼容
48引脚TSOP
56引脚TSOP
足迹可升级为2 Mbit与
8 - Mbit的引导块闪存产品
ETOX ™IV闪存技术
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1997年7月
订单号： 290530-005
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
