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E28F400CVB80 参数 Datasheet PDF下载

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型号: E28F400CVB80
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内容描述: 4兆位( 256K X 16 , 512K ×8 ) SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列 [4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 57 页 / 655 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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4兆位SmartVoltage BOOT块系列
表2. 28F400 / 004引脚说明
(续)
符号
WP #
TYPE
输入
名称和功能
E
写保护:
提供一种方法,用于解锁引导块中的一个系统
没有一个12V电源。
当WP #为逻辑低电平时,引导块被锁定,
预防方案,并
擦除操作的引导块。如果一个程序或擦除操作尝试
当WP#为低时,相应的状态位(位4为引导块上
程序中,位5为擦除)将在状态寄存器,指示操作被设置
失败了。
当WP #为逻辑高电平时,引导块被解锁
并且可以是
编程或擦除。
注意:
该功能无效,当RP #是在引导块解锁
V
HH
。参见3.4节对写保护的详细信息。
BYTE #
输入
BYTE # ENABLE :不适用于28F004B 。
控制设备是否
工作在字节宽的模式( X8 )或字宽模式( X16 ) 。 BYTE #引脚
必须在CMOS电平进行控制,以满足在CMOS当前说明书中所述
待机模式。
当字节#处于逻辑低电平时,字节宽的模式被使能,
其中,数据是
阅读和DQ编程
0
-DQ
7
和DQ
15
/A
–1
变为最低阶
地址,该上部和下部之间的字节进行解码。 DQ
8
-DQ
14
处于三态
在字节宽度的模式。
当BYTE #为逻辑高,字宽模式被激活,
其中,数据是
阅读和DQ编程
0
-DQ
15
.
V
CC
V
PP
器件电源:
5.0V
±
10%, 3.3
±
0.3V , 2.7V - 3.6V (只/ CE)
编程/擦除电源:
擦除存储器阵列块或
在每个块中编程数据,一个电压或者5V的
±
10%或12V
±
必须在5 %
应用于此引脚。当V
PP
& LT ; V
PPLK
所有的块都被锁定和保护
对编程和擦除命令。
地面:
对于所有内部电路。
无连接:
引脚可被驱动或悬空。
GND
NC
12
初步