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E28F800CVB70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: E28F800CVB70
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内容描述: 8兆位( 512K ×16 , 1024K ×8 ) SmartVoltage BOOT BLOCK闪存系列 [8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 77 页 / 559 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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产品预览
8兆位( 512K ×16 , 1024K ×8 )
SmartVoltage BOOT BLOCK
闪存系列
28F800BV -T / B , 28F800CV -T / B , 28F008BV -T / B
28F800CE -T / B , 28F008BE -T / B
英特尔SmartVoltage技术
5V或12V的编程/擦除
2.7V , 3.3V或5V读操作
节目时间减少60 %,至
12V V
PP
非常高的性能读
5V :一百二十○分之七十ns(最大值) 。访问时间,
30/40 ns(最大值) 。输出使能时间
3V : 120/150 ns(最大值)访问
65 ns(最大值) 。输出使能时间
2.7V : 120 ns(最大值)访问
65 ns(最大值) 。输出使能时间
低功耗
最大60毫安读取电流为5V
最大30毫安读取电流在2.7-3.6V
X8 / X16可选的输入/输出总线
28F800的高性能16位或
32位CPU
X8仅输入/输出架构
28F008B为空间受限
8位应用程序
优化阵列无阻塞架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
七128 KB的主块
顶部或底部启动位置
绝对的硬件保护启动
软件EEPROM仿真与
参数块
扩展温度操作
-40 ° C至+ 85°C
扩展循环能力
100000块擦除周期
(商业温度)
万块擦除周期
(扩展温度)
自动字/字节写和块
抹去
工业标准命令用户
接口
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
自动省电功能
1毫安典型I
CC
目前活跃在
静态工作
复位/深度掉电输入
0.2 μA我
CC
典型
提供复位的启动操作
硬件数据保护功能
擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
行业标准的表面贴装
包装
40引脚TSOP
44引脚PSOP : JEDEC ROM
兼容
48引脚TSOP
足迹可升级为2 Mbit与
4 - Mbit的引导块闪存产品
ETOX ™IV闪存技术
本文档中的信息提供,仅用于帮助使用英特尔产品。英特尔概不承担任何责任,包括侵犯任何
专利或版权,对英特尔产品的销售和使用,除非在英特尔的销售条款和此类产品的条件规定。信息
此处包含以前发布的规范取代从英特尔这些设备。
©英特尔公司1995年
1995年9月
订单号: 290539-002