英特尔StrataFlash®无线存储器
(L18)
28F640L18 ， 28F128L18 ， 28F256L18
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 85 ns的初始访问
- 54 MHz的零等待状态， 14 ns的时钟用于─
数据输出同步突发模式
- 25 ns的异步页模式
- 4-， 8-，16- ，和连续的字突发模式
- 突发暂停
- 可编程等待配置
- 缓冲增强工厂编程
（ BEFP ）在5微秒/字节（典型值）
- 在1.8 V的低功耗缓冲编程
7微秒/字节（典型值）
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架构
- 非对称封闭架构
- 多8 - Mbit的分区： 64兆位和128
Mbit的器件
- 多个16兆分区： 256 - Mbit的器件
- 四个16 - K字参数块：顶部或
底部结构
- 64 KWord的主区块
- 双操作：同时读 - 写（ RWW ）或
同时读 - 擦除（ RWE ）
- 用于分区和设备状态状态寄存器
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动力
— V
CC
（芯） = 1.7 V - 2.0 V
— V
CCQ
（ I / O） = 1.35 V - 2.0 V， 1.7 V - 2.0 V
- 待机电流： 30 μA （典型值）为256兆位
- 4字同步读取电流：15 MA（典型值）
在54兆赫
- 自动节能模式
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安全
- OTP空间：
• 64唯一的工厂的设备标识符位
- 64用户可编程OTP位
• 2048的其他用户可编程OTP位
- 绝对的写保护： V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
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软件
- 20 μs（典型值）计划暂停
- 20 μs（典型值）擦除暂停
- 英特尔®闪存数据集成优化
- 基本命令集（ BCS ）和扩展
命令集（ ECS ）兼容
- 通用闪存接口（ CFI ），能够
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质量和可靠性
- 扩展温度：-25 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- ETOX ™第八工艺技术（ 0.13微米）
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密度和包装
- 64点，128 ，和在音频的BGA 256兆位密度
套餐
- 128/0和256/0密度SCSP
- 16位宽的数据总线
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英特尔的StrataFlash
®
无线存储器（ L18 ）设备是最新一代英特尔
地层佛罗里达州灰
®
存储设备具有灵活，多分区，双操作。它提供
高性能同步突发采用1.8 V低阅读模式和异步读取模式
电压，多级单元（MLC）技术。
在多分区架构使背景编程或擦除发生在一个
分区而执行代码或数据的读取发生在另一个分区。这种双操作
架构还允许系统交错码操作，同时程序和擦除
操作发生在后台进行。 8兆或16兆比特分区允许系统
设计者选择的代码段和数据段的大小。该L18无线存储器装置是
采用英特尔0.13微米ETOX ™第八工艺技术制造。它是在业界提供
标准的芯片级封装。
订单号： 251902 ，修订： 009
2005年4月
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
