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GE28F320C3TC90 参数 Datasheet PDF下载

GE28F320C3TC90图片预览
型号: GE28F320C3TC90
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内容描述: 高级+引导块闪存( C3 ) [Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 68 页 / 1132 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
£
高级+引导块闪存( C3 )
8.5
AC I / O测试条件
图11. AC输入/输出参考波形
V
CCQ
输入
0V
注意:
输入定时开始,并输出定时结束时,在V
CCQ
/ 2 。输入上升和下降时间( 10 %至90 % ) < 5纳秒。
最坏的情况下速度条件时, V
CC
= V
CC
分钟。
V
CCQ
/2
测试点
V
CCQ
/2
产量
图12.瞬态等效的测试负载电路
V
CCQ
R
1
设备
被测
OUT
C
L
R
2
注意:
请参阅表17的元件值。
表23.测试配置的元件值在最坏情况的速度条件
测试配置
C
L
(PF )
R
1
(kΩ)
R
2
(kΩ)
V
CCQ
闵标准测试
注意:
C
L
包括夹具电容。
50
25
25
8.6
器件电容
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
符号
参数
§
典型值
最大
单位
条件
C
IN
C
OUT
§
输入电容
输出电容
6
8
8
12
pF
pF
V
IN
= 0.0 V
V
OUT
= 0.0 V
采样,未经100%测试。
数据表
49