英特尔
®
无线闪存（ W18 ）
表22.直流电流特性（共3页3 ）
V
CCQ
=1.35 V –
1.8 V
符号
参数
(1)
记
32/64/128兆位
典型值
最大
V
CCQ
= 1.8 V
32/64兆位
典型值
最大
128兆位
典型值
最大
单位
测试条件
I
PPS
(I
PPWS
,
I
PPES
)
I
PPR
V
PP
待机
V
PP
节目暂停
V
PP
擦除挂起
V
PP
读
3
待定
待定
0.2
5
0.2
5
µA
V
PP
＆ LT ; V
CC
V
PP
≤
V
CC
V
PP
= V
PP1,
计划
进度
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
2
0.05
8
0.05
8
15
0.10
22
0.10
22
2
0.05
16
0.05
8
15
0.10
µA
I
PPW
V
PP
节目
4
待定
待定
37
0.10
mA
V
PP
= V
PP2,
计划
进度
V
PP
= V
PP1,
擦除
进度
V
PP
= V
PP2,
擦除
进度
I
PPE
V
PP
抹去
4
待定
22
mA
注意事项：
1.所有电流有效值，除非另有说明。在典型的V典型值
CC
, T
A
= +25°C.
2.自动省电（ APS ）减少I
CCR
大约待机水平静态操作。见我
CCRQ
规范
了解详细信息。
3.采样，而不是100 ％测试。
4. V
CC
读+编程电流为V的总和
CC
阅读和V
CC
节目电流。
5. V
CC
读+擦除电流为V的总和
CC
阅读和V
CC
擦除电流。
6. I
CCES
指定了设备取消。如果设备被读取，而在擦除暂停，电流为I
CCES
再加上我
CCR
.
7. V
PP
＆ LT ;?
V
PPLK
抑制擦除和编程操作。不要使用V
PPL
和V
PPH
以外的有效范围。
8. V
IL
可以下冲至-0.4V和V
IH
可过冲至V
CCQ
+ 0.4V为20 ns以下的持续时间。
9.如果V
IN
＆ GT ; V
CC
输入负载电流增大到10 μA（最大值） 。
10.ICCS测量是通过CE ＃去断言后的任何5ms的时间间隔为5μs的平均电流。
11.Refer节
对于我
CCAPS
测量细节。
12.TBD值被确定未决硅的表征。
10.4
直流电压特性
表23.直流电压特性（共2页1 ）
V
CCQ
=1.35 V – 1.8 V
符号
参数
(1)
记
32/64/128兆位
民
最大
V
CCQ
= 1.8 V
32/64兆位
民
最大
128兆位
民
最大
单位
测试条件
V
IL
V
IH
V
OL
输入低
输入高
输出低
8
0
V
CCQ
– 0.2
0.2
V
CCQ
0.1
0
V
CCQ
– 0.4
0.4
V
CCQ
0.1
0
V
CCQ
– 0.4
0.4
V
CCQ
0.1
V
V
V
CC
= V
CC
民
V
CCQ
= V
CCQ
民
I
OL
= 100 µA
V
60
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
