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GE28F320W18BD60 参数 Datasheet PDF下载

GE28F320W18BD60图片预览
型号: GE28F320W18BD60
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内容描述: Intel㈢无线闪存 [Intel? Wireless Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路无线
文件页数/大小: 100 页 / 1116 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔
®
无线闪存( W18 )
28F320W18 , 28F640W18 , 28F128W18
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/
抹去
- 突发频率为66兆赫
- 60 ns的初始访问读取速度
- 11 ns的突发模式读取速度
- 20 ns的页面模式读取速度
- 4-, 8-,16- ,并且连续字突发
读取模式
- 突发和页面模式读取所有
块,在所有的分区边界
- 突发挂起功能
- 增强的工厂编程的
3.1微秒/字( typ.for 0.13微米)
安全
• 128位保护寄存器
- 64位独特的编程英特尔
- 64位用户可编程
- 绝对的写保护与V
PP
at
- 个人和瞬时座
锁定/带向下锁定解锁
能力
质量和可靠性
- 温度范围: -40 ° C至+85°C
- 每座10万擦除周期
- 0.13微米ETOX ™第八流程
- 0.18微米ETOX ™VII过程
架构
- 多4兆位分区
- 双操作: RWW或RWE
- 8KB参数块
- 64KB主要模块
- 顶部或底部的设备参数
- 16位宽的数据总线
软件
- 5微秒(典型值)编程和擦除挂起
等待时间
- 闪存数据集成(FDI )和通用
闪存接口( CFI )兼容
- 可编程等待信号极性
包装和电源
- 0.13微米: 32-,64-和128兆位的VF
BGA封装; 128兆位的QUAD +
- 0.18微米: 32和128兆位密度在
VF BGA封装; 64兆位密度
μBGA *包装
- 56有源矩阵球, 0.75毫米式滚珠
沥青
— V
CC
= 1.70 V至1.95 V
— V
CCQ
= 1.70 V至2.24 V或1.35 V至
1.80 V
- 待机电流( 0.13微米) : 8μA (典型值)。
- 读电流: 7毫安(典型值)。
英特尔
®
无线闪存( W18 )设备具有灵活的多分区双重操作,
提供高性能的异步和同步突发读取。它是一个理想的存储器,用于
低电压的CPU爆裂。结合快闪记忆体的内在不高的读取性能
剧烈波动, W18装置消除阴影的传统系统性能范式
冗余代码的内存由慢非易失性存储器更快的执行内存。它减少
总的内存需求,增加可靠性并降低整体系统功耗
消耗和成本。
该W18设备的灵活的多分区架构允许编程或擦除发生
在一个分区中,而读取另一个分区。这允许更高的数据写
吞吐量比单个分区架构。双运算架构也
允许两个处理器交错码操作,同时编程和擦除操作需要
放置在后台进行。设计人员还可以选择代码和数据分区的大小,通过
柔性多分区架构。
注意:
本文件包含有关新产品的生产信息。规格
如有更改,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处,你有
最后确定的设计之前,最新的数据表。
290701-009
2003年12月