英特尔
®
无线闪存（ W18 ）
11.3
AC写特性
.13
µm
光刻技术
V
CCQ
=
1.35 V – 1.8 V
V
CCQ
=
1.7 V – 2.24 V
-60
民
最大
-80
民
最大
单位
笔记
表26. AC写特性
–
#
符号
参数
1,2
-65
民
最大
-85
民
最大
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W10
W11
W12
t
PHWL
(t
PHEL
)
t
ELWL
(t
WLEL
)
t
WLWH
(t
ELEH
)
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHEH
(t
EHWH
)
RST ＃高回收率为WE＃
（ CE ＃ ）低
CE ＃ （ WE＃ ）设置为WE＃ （ CE ＃ ）
低
WE＃ （ CE ＃ ）把脉冲宽度
低
数据建立到WE＃ （ CE ＃ ）高
地址设置到WE＃ （ CE ＃ ）
高
CE ＃ （ WE＃ ）持有WE＃ （ CE ＃ ）
高
3
150
0
150
0
60
60
60
0
0
0
25
200
0
0
200
0
t
AVQV
+ 55
0
20
20
150
0
40
40
40
0
0
0
20
200
0
0
200
0
t
AVQV
+20
0
12
12
150
0
60
60
60
0
0
0
25
200
0
0
200
0
t
AVQV
+50
0
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
50
50
50
0
0
0
t
WHDX
(t
EHDX
）数据从WE＃ （ CE ＃ HOLD）高
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
WHWL
(t
EHEL
)
t
VPWH
(t
VPEH
)
t
QVVL
t
QVBL
地址保持从WE＃ （ CE ＃ ）
高
WE＃ （ CE ＃ ）脉冲宽度高
VPP安装到WE＃ （ CE ＃ ）高
从有效SRD VPP保持
从有效SRD WP ＃保持
5,6,7
3
3,8
3,8
3
20
200
0
0
200
0
W13吨
BHWH
(t
BHEH
） WP ＃安装到WE＃ （ CE ＃ ）高
W14
W16
W18
W19
W20
t
WHGL
(t
EHGL
)
t
WHQV
t
WHAV
t
WHCV
t
WHVH
之前读写恢复
WE＃高到有效数据
WE ＃高到地址有效
WE＃高到CLK有效
WE＃高到ADV ＃高
3,6,10
3,9,10
3,10
3,10
t
AVQV
+ 25
0
16
16
注意事项：
擦除期间1.写时序特性暂停的相同期间只写操作。
2.写操作可以被终止CE＃或WE＃ 。
3.采样，而不是100 ％测试。
4.将脉冲宽度低（T
WLWH
或T
ELEH
）从CE＃定义或WE ＃低（最后以先到为准），以CE ＃或WE ＃高
（以先到为准） 。因此，T
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
5.写脉冲宽度高（T
WHWL
或T
EHEL
）从CE＃定义或WE ＃高（以先到为准），以CE ＃或WE ＃低（取
最后一个） 。因此，T
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
6.系统设计者应该考虑到这一点，并且可以插入一软件无操作指令后，延迟所述第一读
发出命令。
7.不是简历的命令其它命令。
8. V
PP
应在V举行
PP1
或V
PP2
直到块擦除或编程的成功是确定的。
9.适用异步读取时下面写。
10.t
界河/ L
或T
WHVH
从写周期转变为同步短脉冲串读出时，必须满足。吨
界河/ L
和T
WHVH
既指
地址锁存事件（无论是上升/下降时钟边沿或上升ADV ＃缘，以先到为准） 。
74
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
