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GT28F800B3B110 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GT28F800B3B110
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内容描述: 智能3高级启动块4-, 8-,16- , 32兆位闪存系列 [SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 48 页 / 296 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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初步
智能3高级启动块
4-, 8-,16- , 32兆位
闪存系列
28F400B3 , 28F800B3 , 28F160B3 , 28F320B3
28F008B3 , 28F016B3 , 28F032B3
柔性SmartVoltage技术
2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
12 V V
PP
快速生产
程序设计
2.7 V或1.65 V的I / O选项
降低整体系统功耗
高性能
2.7 V - 3.6 V : 90 ns的最大访问时间
3.0 V- 3.6 V : 80 ns的最大访问时间
优化的块大小
8个8 ​​KB的块数据,
顶部或底部位置
达六十三个64 -KB的块
CODE
块锁定
V
CC
通过WP # -Level控制
低功耗
10毫安典型读取电流
绝对的硬件保护
V
PP
= GND选项
V
CC
锁定电压
扩展温度操作
-40 ° C至+85°C
n
闪存数据集成软件
闪存管理器
系统中断管理器
支持参数存储,
流媒体数据(例如,语音)
自动编程和块擦除
状态寄存器
扩展循环能力
最低100000块擦除
循环保证
自动省电功能
典型的我
CCS
公交车不活动后
标准表面贴装包装
48-Ball
μBGA *
48引脚TSOP封装
40引脚TSOP封装
足迹升级
升级为4位,8位,16位和32位
兆位密度
ETOX ™ VI ( 0.25
µ)
闪存技术
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智能3高级启动块, Intel最新的0.25 μ技术制造的,代表了一种功能 -
在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力
( 2.7 V的读取,编程和擦除)具有高速,低功耗运行。几个新的功能已经
增加了,包括用于驱动所述的I / O的能力,在1.65伏,显著降低了系统的有功功率和
接口为1.65 V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在一个单一的
装置。再加上英特尔开发的闪存数据集成( FDI)的软件,并且你有一个符合成本效益的,
单片代码和数据存储解决方案。智能3高级启动块产品将提供40〜
铅和48引脚TSOP和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可
http://www.intel.com/design/flash :通过访问英特尔的WWW页面获得。
1998年7月
订单号: 290580-005