1.8伏特英特尔的StrataFlash无线
内存与3.0伏I / O （ L30 ）
28F640L30 ， 28F128L30 ， 28F256L30
®
数据表
产品特点
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高性能的同时读 - 写/擦除
- 85 ns的初始访问
- 52MHz的零等待状态， 17 ns的时钟到数据
输出同步脉冲串模式
- 25 ns的异步页模式
- 4-， 8-，16- ，和连续的字突发模式
- 突发暂停
- 可编程等待配置
- 缓冲增强工厂编程
（缓冲EFP ） ： 3.5微秒/字节（典型值）
- 1.8 V低功耗缓冲和非缓冲
编程@ 10微秒/字节（典型值）
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架构
- 非对称封闭架构
- 多8 - Mbit的分区：64MB和128MB
器件
- 多个16兆分区： 256Mb的器件
- 四个16 - K字参数块：顶部或
底部结构
- 64K字块为主
- 双操作：同时读 - 写（ RWW ）或
同时读 - 擦除（ RWE ）
- 用于分区和设备状态状态寄存器
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动力
— 1.7 V - 2.0 V V
CC
手术
- I / O电压： 2.2 V - 3.3 V
- 待机电流： 30 μA （典型值）
- 4字同步读取电流：17 MA（典型值）
@ 54兆赫
- 自动省电（ APS ）模式
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软件
- 20 μs（典型值）计划暂停
- 20 μs（典型值）擦除暂停
- 英特尔®闪存数据集成（ FDI）优化
- 基本命令集（ BCS ）和扩展
命令集（ ECS ）兼容
- 通用闪存接口（ CFI ），能够
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安全
- OTP空间：
- 64唯一设备标识符位
- 64用户可编程OTP位
• 2048的其他用户可编程OTP
位
- 绝对的写保护： V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
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质量和可靠性
- 扩展温度：-25 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- ETOX ™第八工艺技术（ 0.13微米）
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密度和包装
- 64 ， 128和VF BGA 256 - Mbit的密度
套餐
- 128/0和256/0密度堆叠CSP
- 16位宽的数据总线
英特尔的StrataFlash
®
存储设备具有灵活，多分区，双操作。它提供了高
性能的同步猝发读模式和异步读取模式下使用1.8伏的低电压，多
级单元（ MLC ）技术。
在多分区架构支持后台编程或擦除发生在一个分区
而执行代码或数据读取发生在另一个分区。这种双操作架构也
允许两个处理器交错码操作，同时编程和擦除操作发生在
背景。
该
1.8伏特英特尔的StrataFlash
®
无线存储器与3伏
I / O设备使用英特尔制造
0.13微米ETOX ™第八工艺技术。它是行业标准的芯片级封装。
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1.8伏特英特尔的StrataFlash
®
无线存储器与3伏
I / O产品是最新一代的
发展。这里的信息可能随时更改，恕不另行通知。不要敲定
这种信息的设计。
订单号： 251903-003
2003年4月
注意：
本文件包含在设计阶段对产品信息
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
