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P28F020-150 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P28F020-150
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内容描述: 28F020 2048K ( 256K ×8 )的CMOS FLASH MEMORY [28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 38 页 / 877 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F020
E
DQ
0
- DQ
7
V
CC
V
SS
V
PP
擦除电压
开关
以阵列源
输入/输出
缓冲器
WE#
状态
控制
命令
注册
综合站
定时器
PGM电压
开关
CE#
OE #
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
机顶盒
地址锁存
y解码器
Y型GATING
A
0
- A
17
X解码器
2,097,152位
细胞矩阵
0245_01
图1. 28F020框图
表1.引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
0
-DQ
7
TYPE
输入
输入/输出
名称和功能
地址输入
为存储器地址。地址是
在写周期内锁定。
数据输入/输出:
在输入存储器写周期的数据;
存储过程中输出的数据读周期。数据引脚活跃
高浮到三态
关闭
当芯片被取消选择或
输出被禁止。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE :
激活该设备的控制逻辑电路,输入缓冲器,
解码器和读出放大器。 CE#为低电平有效; CE #高
取消选择的存储设备,并降低功耗
待机水平。
OUTPUT ENABLE :
闸门装置通过数据输出
在一个读周期缓冲器。 OE #为低电平有效。
写使能:
控制写入控制寄存器和
数组。写使能为低电平有效。地址锁存的
下降沿,数据被锁存,在WE #的上升沿
脉搏。
注意:
随着V
PP
6.5 V时,存储器的内容不能被改变。
擦除/编程电源
用于写入的命令
寄存器,擦除整个阵列,或阵列中的编程字节。
器件电源
(5 V ±10%)
CE#
输入
OE #
WE#
输入
输入
V
PP
V
CC
V
SS
6