E
n
n
n
n
初步
28F002BC 2兆位（ 256K ×8 ）
BOOT BLOCK FLASH MEMORY
n
n
n
n
n
n
扩展循环能力
100000块擦除周期
自动字节写和块擦除
工业标准命令用户
接口
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
复位/深度掉电输入
0.2 μA我
CC
典型
提供复位的启动操作
行业标准的表面贴装
包装
40引脚TSOP
44引脚PSOP
40引脚PDIP
ETOX ™IV闪存技术
5V阅读
12V写入和块擦除
V
PP
= 12V ±5％的标准
V
PP
= 12V ± 10％的选
独立软件供应商支持
高性能读
80/120 ns的最大访问时间
40 ns（最大值） 。输出使能时间
低功耗
20毫安典型读取电流
X8仅输入/输出架构
空间有限的8位
应用
优化阵列无阻塞架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
一个128 KB的主座
顶级位置启动
硬件数据保护功能
擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
绝对的硬件保护
BOOT BLOCK
软件EEPROM仿真与
参数块
n
n
n
n
n
英特尔的2兆位闪存引导块架构的扩展，其中包括块选择性
擦除，自动写入和擦除操作，和一个标准的微处理器接口。在2兆位闪存
存储器增强了引导块的体系结构通过添加更多的密度和块， x8的输入/输出控制，
超高速，低功耗，以及行业标准的ROM兼容的引脚排列和表面贴装封装。
英特尔28F002BC是一个8位宽的闪存产品。这种高密度闪存提供了用户自
可选的总线操作的8位应用程序。该28F002BC是2,097,152位非易失性存储器
组织为262,144字节的信息。它是在44引脚PSOP提供， 40-引脚PDIP和40引脚TSOP
包，这是非常适合空间受限的便携式系统或电路板空间的任何应用程序
局限性。
本装置采用一体化指挥用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化
字节写和块擦除。该28F002BC提供了与英特尔的MCS® - 186兼容模块的位置
家庭， 80286 ， 90860CA ，以及英特尔386 ™ ， 486™ ，奔腾和Pentium Pro的微处理器。
引导块包括数据保护功能，以保护引导代码中的关键应用。有
80 ns（最大值）的存取时间，这种高性能的2兆位闪存的零等待状态到接口
多种微处理器和微控制器。深掉电模式降低了总V
CC
动力
消耗1 μW典型。这节省功耗是手持式电池供电系统中的关键。对于非常
采用3.3V电源供电的低功耗应用，请参考英特尔28F002BV -T / B
2兆位SmartVoltage BOOT BLOCK
FL灰内存
数据表。英特尔0.6微米ETOX ™IV处理技术， 28F002BC制造
快闪记忆体提供了世界一流的质量，可靠性和成本效益在2兆位密度。
1996年10月
订单号： 290578-003
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
