28F008SA
8 - MBIT （ 1 - MBIT ×8） FlashFile
TM
内存
扩展温度规格包括
Y
高密度对称阻止
架构
十六个64字节块
扩展循环能力
100000块擦除周期
1 6亿块擦除
每芯片的周期
自动字节写和块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
系统性能增强
RY BY状态输出
擦除挂起功能
Y
深度掉电模式
0 20
mA
I
CC
典型
极高性能的读取
85 ns最大访问时间
SRAM兼容写接口
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
行业标准包装
40引脚TSOP 44引脚PSOP
ETOX III非易失闪存技术
12V字节写块擦除
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
英特尔28F008SA 8兆位FlashFile
TM
内存是溶胶最高密度非易失性读写解决方案
ID状态存储的28F008SA的扩展循环受阻对称架构的快速存取时间
写自动化和低功耗提供了更可靠的低功率更轻的重量和更高的
性能替代传统的旋转磁盘技术的28F008SA带来了新的功能，以porta-
存储在BLE计算应用程序和操作系统软件驻留闪存阵列提供
瞬时接通迅速通过在系统的软件更新执行就地和保护从过时
常驻软件还扩展系统电池寿命，并通过减少磁盘驱动器的访问增加了可靠性
对于高密度的数据采集应用的28F008SA提供了一个更具成本效益和可靠的alterna-
略去SRAM和电池传统的高密度嵌入式应用，如电信可以
采取灵活的28F008SA的非易失性阻塞和最小的系统规范要求的优势
固件和软件的模块化设计
该28F008SA提供40引脚TSOP （标准和反向）和44引脚PSOP封装的引脚赋值
在闪存阵列或子系统集成这多个设备时ments简化电路板布局
设备采用一体化指挥用户界面和状态机的简化块擦除和字节
写的28F008SA存储器映射包含16个可独立擦除的64字节块
英特尔28F008SA采用了先进的CMOS电路用于需要低功耗和噪音系统
当有磁性存储介质相比它的免疫力85 ns访问时间提供卓越的性能
深省电模式可降低耗电量为1
mW
典型的直通V
CC
在便携式计算关键
手持仪表等低功耗应用的RP电源控制输入也提供了
系统上电倒在绝对数据保护
英特尔的0 8微米ETOX工艺制造的28F008SA提供最高的质量水平
可靠性和成本效益
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
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版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290429-005
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
