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PC28F640P30B85 参数 Datasheet PDF下载

PC28F640P30B85图片预览
型号: PC28F640P30B85
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内容描述: 英特尔的StrataFlash嵌入式存储器 [Intel StrataFlash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 102 页 / 1616 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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英特尔的StrataFlash嵌入式存储器
(P30)
1千兆P30系列
®
数据表
产品特点
高性能
安全
- 88分之85纳秒的初始访问
- 一次性可编程寄存器:
• 64唯一的工厂的设备标识符位
- 40 MHz的零等待状态, 20 ns的时钟用于─
- 64用户可编程OTP位
数据输出同步突发读取模式
• 2048的其他用户可编程OTP位
- 25 ns的异步页读模式
- 可选择OTP空间在主阵:
- 4-, 8-,16- ,和连续的字突发模式
• 4x32KB参数块+ 3x128KB主
- 缓冲增强工厂编程
块(顶部或底部配置)
( BEFP )在5微秒/字节(典型值)
- 绝对的写保护: V
PP
= V
SS
- 1.8 V 7微秒/字节的缓冲编程(典型值)
- 电源转换擦除/编程锁定
架构
- 个人零延迟块锁定
- 多级单元技术:最高密度
- 单个块锁闭
以最低成本
软件
- 非对称封闭架构
- 20 μs(典型值)计划暂停
- 四个32 - K字节的参数块:顶部或
- 20 μs(典型值)擦除暂停
底部结构
•英特尔
®
闪存数据集成优化
- 128 KB的主要模块
- 基本命令集和扩展命令
电压和功率
集兼容
— V
CC
(核心)电压: 1.7 V - 2.0 V
- 通用闪存接口能够
— V
CCQ
( I / O)电压: 1.7 V - 3.6 V
密度和包装
- 待机电流: 55 μA (典型值)为256兆位
- 64 /128/ 256兆位密度在56引脚TSOP
- 4字同步读取电流:
13毫安(典型值) ,在40MHz的
- 64 /128 /五百一十二分之二百五十六兆位密度在64球
质量和可靠性
英特尔
®
简单的BGA封装
- 工作温度: -40°C至+85°C
• 1千兆位在SCSP为-30 ° C至+85°C
- 64 /128 /五百一十二分之二百五十六Mbit与1千兆位密度在
英特尔
®
QUAD + SCSP
- 每块最少100,000次擦除周期
- 16位宽的数据总线
- ETOX ™第八工艺技术( 130纳米)
英特尔的StrataFlash
®
嵌入式存储器( P30 )产品是最新一代英特尔
地层佛罗里达州灰
®
存储器装置。提供64兆位上升到1千兆位密度,在P30的设备
带来可靠, 2位每单元存储技术的嵌入式闪存细分市场。
优点包括更密度更小的空间,高速接口,成本最低的每比特的NOR
设备,以及用于代码和数据的存储支持。其特点包括高性能synchronous-
突发读取模式下,快速异步访问时间,低功耗,灵活的安全选项和三
行业标准封装选择。
在P30系列产品采用英特尔制造
®
130纳米ETOX ™第八工艺技术。
订单号: 306666 ,修订: 001
2005年4月