英特尔
£
高级+引导块闪存（ C3 ）
2.0
设备描述
本节提供了英特尔的概述
®
高级+引导块闪存（ C3 ）设备
功能，包装，信号的命名和器件架构。
2.1
产品概述
在C3设备提供高性能异步读取软件包兼容密度
具有16位数据总线。个别地擦除存储块进行最佳尺寸为代码和数据
存储。 8个4千字参数块位于所述引导块在顶部或底部
该器件的存储器映射。存储器阵列的其余部分被分成32千字主块。
该器件支持读阵列模式操作在不同的I / O电压（ 1.8 V和3 V ）和擦除
和编程操作在3 V或12 V VPP 。与3 V的I / O选项， VCC和VPP可以连
一起简单的，超低功耗设计。除了I / O电压的灵活性，所述专用
VPP输入提供了完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
该器件采用128位保护寄存器使能的安全技术和数据保护
通过工厂编程和用户可编程OTP数据的组合方案
寄存器。零延迟锁定/解锁任何内存块上，提供即时且完整的
保护对关键系统代码和数据。附加块锁断功能提供
硬件保护软件的地方单独命令不能改变块的保护状态。
的命令的用户界面（CUI）作为系统处理器和内部之间的界面
该装置的操作。颁发给崔有效的命令序列启动设备的自动化。
内部写状态机（ WSM ）自动执行的算法和时序
必需的块擦除，编程，和锁定位配置操作。
该器件提供三种低功耗省电功能：自动省电（ APS ） ，待机
模式和深度掉电模式。该器件自动进入APS模式下面读取
循环完成。待机模式开始时，系统会取消的闪存
拉高CE＃ 。深度掉电模式开始时RP ＃是断言，这将取消选择
内存和地方的输出在高阻抗状态，产生超低功耗的节省。
结合这三个省电功能显著增强的功耗
灵活性。
2.2
Ballout图
该装置C3是48引脚TSOP ， 48球VF BGA ， 48球用
μBGA ，
与易BGA
包。 （参考
和
分别）。
8
数据表
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
