3伏特英特尔
®
高级+引导块
快闪记忆体（ C3）堆叠芯片级
套餐家庭
数据表
产品特点
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闪存加SRAM
- 减少了内存的电路板空间
按要求，简化了PCB设计
复杂性
堆叠式芯片级封装（ Stacked-
CSP ）技术
- 最小的存储子系统足迹
- 面积： 8 ×10毫米的16Mbit （ 0.13微米）
闪存+ 2兆比特或4Mbit的SRAM
- 面积： 8 ×12毫米， 32兆（ 0.13微米）
闪存+的4Mbit或8Mbit的SRAM
- 高度：1.20毫米16兆（ 0.13微米）
闪存+ 2兆比特或4Mbit的SRAM和
32兆（ 0.13微米）的Flash + 8Mbit的SRAM
- 高度：1.40毫米32兆（ 0.13微米）
闪存+的4Mbit的SRAM
- 此系列还包括0.25微米，
0.18微米技术
先进的SRAM技术
- 70 ns访问时间
•低功耗工作
- 低电压数据保留模式
英特尔
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闪存数据集成（ FDI）
软件
- 实时数据存储和代码
在执行相同的存储设备
- 全闪存文件管理器功能
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高级+引导块闪存
- 70 ns访问时间为2.7 V
- 即时，个别块锁定
- 128位注册保护
- 12 V产品编程
- 超快速编程和擦除挂起
- 扩展级温度-25 ° C到+85°C
无阻塞架构
- 块大小为代码+数据存储
- 4 - K字参数块（数据）
- 64 KB的主块（代码）
•每座100,000次擦写循环
低功耗工作
- 异步读取电流： 9毫安（闪存）
- 待机电流： 7 μA （闪存）
- 自动省电模式
闪存技术
- 0.25微米ETOX ™ VI ， 0.18微米ETOX ™
七和0.13微米ETOX ™闪存第八
技术
- 28F160xC3 ， 28F320xC3
3伏特英特尔
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高级+引导块闪存（ C3）堆叠式芯片级封装
（堆叠- CSP ）的设备提供低功耗应用的功能丰富的解决方案。在C3
堆叠式CSP存储设备整合在一个封装闪存和静态RAM
低电压能力，实现最小的系统内存解决方案的外形与
高速，低功耗的操作。在C3堆叠CSP存储设备提供保护
注册和灵活的块锁，使下一代安全能力。结合
英特尔
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闪存数据合成器（英特尔
®
外商直接投资）软件， C3堆叠CSP存储设备
提供了一种具有成本效益的，灵活的，码加数据存储解决方案。
注意：
本文件包含有关新产品的生产信息。规格
如有更改，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处，你有lat-
最后确定的设计之前， EST数据表。
252636-001
2003年2月，
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
